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出版者:電子工業齣版社

作者:高吉祥

出品人:

頁數:468

译者:

出版時間:2003-3-1

價格:38.00元

裝幀:平裝(無盤)

isbn號碼:9787505385658

叢書系列:

圖書標籤:

• 學習
• 高頻電子——01
• 電子綫路
• 高頻電路
• 射頻電路
• 模擬電路
• 電路分析
• 電子工程
• 通信工程
• 微波技術
• 濾波器設計
• 放大器設計

《晶體管電路基礎與應用》 內容簡介 本書旨在為電子工程、通信工程、自動化以及相關專業的學生和工程技術人員提供一套全麵、深入且實用的晶體管電路設計與分析基礎。全書結構嚴謹，內容涵蓋瞭從半導體物理基礎到復雜集成電路應用的全過程，特彆側重於雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET，包括MOSFET）在模擬和數字電路中的核心作用與設計方法。 第一部分：半導體器件物理與基礎 第一章：半導體基礎物理。本章首先迴顧瞭固體物理學的基本概念，包括能帶理論、費米能級等。隨後深入探討瞭P型和N型半導體的摻雜機製及其載流子濃度計算。重點分析瞭PN結的形成、能帶圖的彎麯、內建電場以及其在正嚮偏置和反嚮偏置下的伏安特性麯綫。 第二章：雙極型晶體管（BJT）原理。詳細介紹瞭BJT的結構（如NPN和PNP），其工作原理——基極電流控製集電極電流的機製。深入剖析瞭BJT的四種工作區：截止區、放大區（共射、共基、共集三種組態的特點）、飽和區以及雪崩擊穿現象。本章還引入瞭Ebers-Moll模型和混閤$pi$模型，為後續的交流小信號分析奠定理論基礎。 第三章：場效應晶體管（FET）原理。本章聚焦於JFET和MOSFET。詳細闡述瞭MOS結構電容的形成，以及MOSFET的四種工作狀態（截止、弱反型、強反型和反轉層）。重點分析瞭增強型和耗盡型MOSFET的閾值電壓、跨導特性及其與BJT在輸入阻抗和驅動能力上的區彆。 第二部分：模擬電路設計核心 第四章：晶體管直流偏置電路分析。本章是模擬電路設計的基礎。係統講解瞭設置穩定工作點的各種偏置方法，包括固定偏置、集電極反饋偏置、分壓器偏置等。重點分析瞭溫度漂移問題，並引入瞭$eta$（或$V_{GS}-V_{th}$）容差對工作點穩定性的影響分析，推導齣直流偏置點穩定性係數（$S$參數）。 第五章：單級放大器的小信號分析。本章將重點轉移到交流信號的放大過程。推導瞭BJT和MOSFET在不同組態下的跨導($g_m$)、輸入電阻($r_{pi}$或$r_{in}$)、輸齣電阻($r_o$)和電壓增益($A_v$)的精確錶達式。分析瞭旁路電容和耦閤電容對頻率響應的影響，計算瞭放大器的-3dB截止頻率（低頻和高頻）。 第六章：多級放大器與反饋理論。詳細介紹瞭兩級和三級放大器的級聯設計，包括共源-共射、共源-共基等組閤配置。隨後深入講解瞭負反饋理論，包括反饋的四種基本結構（串聯電壓、並聯電流、串聯電流、並聯電壓），分析瞭負反饋對增益、輸入/輸齣阻抗、帶寬和失真度的改善作用。引入瞭相位裕度和增益裕度等穩定性判據。 第七章：輸齣級與功率放大器。本章專注於滿足大信號驅動需求的輸齣級設計。對比分析瞭A類、B類、AB類和C類放大器的效率、綫性度和散熱特性。重點講解瞭互補對稱（推挽）輸齣級的結構、交叉失真消除技術以及熱穩定性設計。 第三部分：常用模擬集成電路模塊 第八章：運算放大器（Op-Amp）結構與性能。本書雖然聚焦於分立元件，但本章介紹瞭現代集成電路的基礎——運放的內部結構。分析瞭差分輸入級、增益級和輸齣級的級聯設計。詳細討論瞭輸入失調電壓、共模抑製比（CMRR）、開環增益帶寬積等關鍵參數的來源和影響。 第九章：有源濾波器設計。基於運放或晶體管構建有源濾波器，避免瞭傳統LC濾波器體積大、易受外界乾擾的問題。係統介紹瞭巴特沃斯（Butterworth）、切比雪夫（Chebyshev）等低通、高通、帶通和帶阻濾波器的設計原理，並給齣瞭二階Sallen-Key電路的具體參數計算。 第四部分：晶體管在非綫性與開關應用 第十章：晶體管開關電路。將晶體管視為理想開關進行分析，重點研究其在數字邏輯電路中的應用。詳細分析瞭飽和區的開關損耗和速度限製。介紹瞭電阻晶體管邏輯（RTL）、直接耦閤晶體管邏輯（DCTL）以及幾種典型的TTL和CMOS基礎邏輯門的工作原理，強調瞭開關速度和功耗的權衡。 第十一章：波形發生與調製。本章探討瞭晶體管在非綫性區域的周期性工作。講解瞭基於RC振蕩和電感振蕩原理的多諧振蕩器、施密特觸發器、以及單穩態多諧振蕩器的設計。引入瞭晶體管作為混頻器和倍頻器的基本概念，用於信號的頻譜搬移。 附錄 附錄A：器件參數手冊與模型簡化。 附錄B：常用半導體材料的熱效應分析。 附錄C：SPICE仿真在電路驗證中的應用實例。 本書特色 本書強調理論與實踐的緊密結閤。每章後都配有大量的例題和工程實踐習題，引導讀者將所學知識應用於實際電路的參數選擇和性能預估。通過對BJT和MOSFET特性的細緻對比，幫助讀者理解在不同應用場景下選擇閤適器件的決策依據。內容深度適中，既能滿足初學者建立紮實基礎的需求，也能為需要進行復雜模擬電路獨立設計的工程師提供有力的參考。全書力求以清晰的數學推導和直觀的物理圖像來闡釋復雜的電子現象。

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這本書簡直是我的救命稻草！我當時剛開始接觸這個領域，手頭上的資料要麼太理論化，要麼就是講得太淺，完全抓不住重點。這本《XX專業核心課程》的教材，內容組織得極其清晰，從最基礎的電路原理講起，一步步深入到復雜的係統設計，就像是有一個經驗豐富的老教授在旁邊手把手地教你。特彆是它對實驗環節的描述，細緻到連測試儀器的參數設置都有明確的指導，這對於初學者來說太重要瞭。我記得有一次我在一個項目中卡住瞭，就是通過迴顧書裏的某個特定章節，纔茅塞頓開，找到瞭問題的關鍵所在。這本書的案例分析也做得非常到位，每一個案例都不是孤立的，而是能將前幾章學到的知識點串聯起來，讓你真正體會到理論與實踐結閤的力量。我甚至把它當成瞭工具書，遇到不確定的地方隨時翻閱，它的索引和目錄設計得非常人性化，查找起來毫不費力。可以說，沒有這本書的打底，我不可能這麼快地建立起對這個專業領域的整體認知框架。

评分☆☆☆☆☆

這本書的價值體現在它對解決實際工程問題的指導性上。我之前在嘗試做一個小型控製係統時，遇到瞭一個關於反饋穩定性的難題，各種仿真和理論計算都指嚮一個死鬍同。後來我翻到瞭這本書的“魯棒性設計”那一章，作者用一個非常形象的比喻解釋瞭相位裕度和增益裕度的實際意義，並且給齣瞭一個快速評估係統穩定性的經驗法則。這個法則雖然不完全嚴謹，但在工程初步設計階段簡直太實用瞭，它幫我快速確定瞭調整方嚮，避免瞭大量的無效試錯。這本書的厲害之處在於，它懂得在“理論的嚴謹性”和“工程的實用性”之間找到一個微妙的平衡點。它不會為瞭追求數學上的完美而犧牲掉工程上的可操作性，這一點是很多純理論書籍所欠缺的。它更像是一本“工程寶典”，記錄瞭無數實戰中總結齣來的寶貴經驗。

评分☆☆☆☆☆

說實話，我本來對這本書抱有很低的期望，因為之前買過幾本同領域的書，內容大多是互相抄襲、缺乏深度的。然而，當我打開這本《XX領域新進展》時，我立刻被它對細節的考究程度所震撼瞭。它不僅僅是介紹技術，更是深入剖析瞭技術背後的發展曆程和驅動力。比如，書中對某一類關鍵芯片的演進路綫進行瞭詳細梳理，從第一代到最新的架構，每一步的技術飛躍背後的市場需求和技術瓶頸都分析得入木三分。這種“知其然，更知其所以然”的敘事方式，極大地拓寬瞭我的知識麵和戰略視野。對於那些希望不僅想成為一個“操作工”，更想成為一個“設計者”和“決策者”的人來說，這本書提供的深度思考素材是無價的。它讓我開始關注整個産業鏈和技術生態，而不僅僅是電路闆上的那幾個元件。

评分☆☆☆☆☆

說實話，我對市麵上大部分技術書籍都有點審美疲勞，感覺不是炒冷飯就是故作高深。但這本書的作者顯然是下瞭大功夫的，他對學科前沿的把握非常敏銳，而且不滿足於教科書式的陳述。它在闡述經典理論的同時，引入瞭大量的現代設計思路和新興技術應用，比如在討論某類元件特性時，會穿插介紹近幾年最新的改進型器件的性能對比，這種前瞻性讓我覺得手中的這本書並非是幾年前的老舊版本，而是真正與時俱進的。我特彆欣賞它在推導復雜公式時所采用的數學工具，非常優雅且易於理解，它沒有簡單地堆砌公式，而是清晰地展示瞭每一步的物理意義，讓你明白“為什麼是這樣”，而不是死記硬背“它就是這樣”。讀完之後，我感覺自己的思維方式都得到瞭提升，看待問題不再局限於書本上的固定模型，而是學會瞭從更本質的角度去分析和解決問題。

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我通常對厚重的專業書籍敬而遠之，總覺得裏麵塞滿瞭大量我可能永遠用不到的深奧內容，閱讀體驗很差。但《XX項目實踐指南》這本書的排版和設計簡直是業界良心。首先，它大量使用瞭高質量的插圖和流程圖，很多復雜的信號流嚮和結構關係，看圖比看文字描述直觀一萬倍。其次，它的章節結構劃分邏輯性極強，每個章節之間既獨立又有所關聯，我完全可以根據自己的學習進度和興趣點來選擇性閱讀，不必強求一次性讀完。更值得稱贊的是，它在關鍵概念旁邊的空白處做瞭很多注釋和“思考題”，這些小小的設計極大地激發瞭我的主動思考。這本書的語言風格非常平易近近人，沒有那種高高在上的學術腔調，讀起來就像是聽一位經驗豐富的工程師在給你“拉傢常”，娓娓道來，不知不覺中就把那些原本覺得枯燥的知識點給消化吸收瞭。

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都畢業瞭 ....高頻賣瞭三塊......

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