具体描述
《SoC设计与测试》分别介绍了SoC的设计方法和测试方法。并介绍了逻辑核、存储器核及其模拟核的设计方法和需要注意的问题。
《现代集成电路制造工艺与版图设计》 书籍简介 本书深入探讨了现代集成电路制造领域的前沿技术与实践应用，聚焦于半导体器件的物理实现、先进工艺流程的构建以及电路布局与布线的复杂性。全书内容紧密围绕当前主流的CMOS技术节点展开，涵盖了从硅片准备到最终封装测试的完整产业链条中的关键技术环节。 第一部分：半导体器件物理基础与先进工艺演进 本部分首先回顾了半导体PN结、MOSFET的基本物理原理，强调了短沟道效应、载流子输运机制在纳米尺度上面临的挑战。随后，详细阐述了深亚微米及以下技术节点的工艺发展历程，特别是应力硅（Strained Silicon）、高介电常数/金属栅（High-k/Metal Gate, HKMG）技术、SOI（Silicon-On-Insulator）结构的应用及其对器件性能的提升作用。 重点内容包括： 先进薄膜沉积技术： 化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）在介质层和金属层生长中的精确控制及其缺陷抑制。 光刻技术突破： 聚焦于浸入式光刻（Immersion Lithography）和极紫外光刻（EUV Lithography）的技术原理、掩模版（Mask）的制造与缺陷检测，以及分辨率增强技术（RET）的应用，如OPC（Optical Proximity Correction）。 刻蚀工艺的精确性： 干法刻蚀（Dry Etching）中的反应离子刻蚀（RIE）和深度反应离子刻蚀（DRIE）的等向性与选择性控制，以及对侧壁粗糙度和垂直度的要求。 掺杂与注入： 离子注入技术的能级控制、退火（Annealing）过程对晶格损伤修复和激活效率的影响，以及超浅结（Ultra-shallow Junction）的形成技术。 第二部分：互连结构与可靠性工程 随着晶体管尺寸的缩小，互连线的电阻、电容和串扰成为限制芯片性能和功耗的主要因素。本部分将重点放在多层金属互连系统的设计与实现。 详细剖析了： 低介电常数（Low-k）材料的应用： 探讨了不同低k材料的物理特性、集成过程中的工艺窗口限制以及对降低RC延迟的贡献。 大马士革工艺（Damascene Process）： 阐述了铜互连技术中，从沟槽刻蚀、阻挡层/籽晶层沉积到电化学抛光（CMP）的完整流程，以及铜的电迁移（Electromigration）问题与抑制方法。 电源完整性（Power Integrity）： 讨论了片上电源网络的设计，包括去耦电容（Decoupling Capacitors）的布局优化、IR Drop分析与降压技术。 在可靠性方面，本书深入分析了导致芯片失效的物理机制： 电迁移（EM）与自热效应（Self-Heating）： 结合现有寿命模型，指导设计者如何通过电流密度限制和温度管理来确保长期运行的可靠性。 静电放电（ESD）保护设计： 讲解了不同类型的ESD保护结构（如钳位二极管、SCR等）的工作原理、布局考量以及与工艺节点的兼容性。 TDDB（Time-Dependent Dielectric Breakdown）与HCI（Hot Carrier Injection）： 分析了这些失效机制对栅氧化层和衬底的长期影响，并提供了设计准则以延长器件寿命。 第三部分：高级版图设计与物理实现 本部分侧重于从电路原理图到最终可制造版图（Layout）的转化过程，强调物理设计规则（DRC）和版图后仿真。 关键内容包括： 设计规则（Design Rules）： 详细解读了不同代工厂（Foundry）提供的工艺设计套件（PDK）中关于最小线宽、间距、层叠、过孔（Via）尺寸和密度的约束，以及如何理解和应用LVS（Layout Versus Schematic）检查。 版图实现技术： 讲解了关键路径的延迟优化布局、对称性设计以平衡器件特性、以及利用匹配技术（Matching Techniques）来应对工艺偏差。特别关注了模拟/射频电路的特殊布局要求，如屏蔽（Shielding）、星形接地（Star Grounding）和共质心（Common-Centroid）布局。 寄生效应分析： 阐述了如何使用专业工具对版图中提取的寄生电阻、电容和电感（RCL Extraction）进行精确建模，并进行后仿真（Post-layout Simulation），确保电路在实际物理环境下的性能满足要求。 先进制造考量： 讨论了制造限制对设计的影响，如应力敏感器件的布局约束、多重曝光的套刻精度（Overlay Error）对关键特征的影响，以及如何通过版图优化来缓解工艺变异性（Process Variation）。 目标读者： 本书适合于集成电路设计工程师、半导体工艺工程师、微电子学研究生，以及所有从事先进芯片研发与制造领域的技术人员深入学习和参考。阅读本书需要具备基本的半导体器件物理和电路理论知识。
作者简介
目录信息
读后感
评分
评分
评分
评分
评分
用户评价
评分
评分
评分
评分
评分
相关图书
本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息，本站不存储任何数据与内容，任何内容与数据均与本站无关，如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度，google,bing,sogou 等
© 2026 onlinetoolsland.com All Rights Reserved. 本本书屋 版权所有