实用电源技术手册

实用电源技术手册 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:辽宁科学技术出版社
作者:戚栋
出品人:
页数:233
译者:
出版时间:2005-8
价格:26.00元
装帧:简裝本
isbn号码:9787538143263
丛书系列:
图书标签:
  • 电源技术
  • 电力电子
  • 开关电源
  • 变压器
  • 整流电路
  • 滤波电路
  • 保护电路
  • 电源设计
  • 电路分析
  • 电子工程
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具体描述

本书介绍了用于专用场合的特种电源的基本原理、主要性能指标、负载特性、选用原则及使用中应注意的问题。分书共分6章,内容包括:电化电源、冶金熔炼及热处理电源、高压电源、高压电源;电力系统用电源;光电源;其他特种电源。

本书的读者对象为电类中专以上程度的技术人员,对从事电源设计、开发、生产和使用的工程技术人员、大专院校生均有参考价值。

《微电子器件物理与工艺》 内容提要: 本书深入探讨了现代微电子器件的基础物理原理、制造工艺流程以及面向未来前沿技术的挑战与机遇。全书结构严谨,内容详实,旨在为电子工程、材料科学、物理学等相关领域的研究人员、工程师和高年级学生提供一本全面且具有深度参考价值的教材与工具书。 第一部分:半导体物理基础与本征特性 本书首先从量子力学的基本概念入手,回顾了晶体结构的周期性势场中电子的能带理论,包括价带、导带、禁带宽度等核心参数的确定。详细阐述了半导体材料的杂质效应,包括施主与受主能级的形成、载流子浓度随温度的变化(费米能级的位置)。 核心内容聚焦于半导体内的输运现象。我们详细分析了漂移电流和扩散电流的机制,推导了爱因斯坦关系式以及载流子寿命的概念。重点讲解了半导体中关键的物理量,如载流子迁移率(包括晶格散射和杂质散射机制的定量描述)、陷阱态对器件性能的影响。此外,还引入了非平衡态载流子注入的概念,为理解PN结和双极型晶体管的工作原理奠定基础。 第二部分:PN结与基本二端器件 本部分系统地介绍了PN结的形成机理、能带图的绘制方法以及内建电场的分布。详细分析了平衡态、少子注入、外加偏压下的载流子分布和电流-电压(I-V)特性曲线的推导。特别关注了PN结的非理想效应,例如阶跃结与渐变结的特性差异、势垒电容的频率依赖性、以及雪崩击穿和齐纳击穿的物理机制。 在此基础上,本书深入剖析了齐纳二极管、隧道二极管(隧穿效应的量子力学描述)、以及光电器件(如光电二极管和发光二极管)的工作原理。针对光电器件,详细讨论了光生载流子的产生、分离、收集效率,以及器件的响应速度与量子效率的计算方法。 第三部分:MOSFET的物理模型与制造工艺 这是本书的重点和难点之一。首先,详细阐述了场效应晶体管(FET)的结构和工作原理,从理论上推导了理想MOS电容器的C-V特性曲线,清晰界定了耗尽层、积累层和反型层的形成条件。 随后,本书引入了表面效应物理,包括费米能级钉扎、界面陷阱(Interface Traps)对阈值电压的影响,以及沟道长度调制效应的物理根源。对MOSFET的I-V特性,从弱反型区、线性区到饱和区的完整物理建模进行了深入探讨,对比了经典的平方律模型与更精确的亚阈值斜率(Subthreshold Swing)模型。 在制造工艺方面,本书提供了详尽的概述,涵盖了半导体衬底的制备(从CZ法到SOI技术)、薄膜沉积技术(包括ALD、PECVD、LPCVD的原理与应用)、刻蚀技术(湿法、干法刻蚀的选择性与损伤分析),以及离子注入与激活退火工艺。重点突出了先进CMOS工艺中关键的金属栅极技术和高介电常数(High-k)材料的应用背景与物理挑战。 第四部分:先进双极型晶体管与新兴器件 本书超越了传统的BJT模型,深入探讨了高速器件的设计与挑战。详细介绍了双极性结型晶体管(BJT)的Ebers-Moll模型及其高注入效应下的修正。重点剖析了异质结双极型晶体管(HBT)中利用能带阶跃实现的高速、高电流增益特性,并对比了SiGe HBT与GaAs HBT的优劣。 在新兴器件方面,本书介绍了面向低功耗和高集成度的挑战性技术: 1. FinFETs(鳍式场效应晶体管): 分析了其三维结构如何有效控制短沟道效应,并推导了其亚阈值特性与传统平面MOSFET的差异。 2. 隧道场效应晶体管(TFET): 探讨了其基于带间隧穿(Interband Tunneling)的工作机制,重点分析了如何实现陡于玻尔兹曼极限的亚阈值斜率,以及在超低电压应用中的前景与材料限制。 3. 存储器技术: 简要介绍了SRAM、DRAM的结构,并重点分析了阻变存储器(RRAM/Memristor)的物理开关机制,如离子迁移和界面反应。 第五部分:器件可靠性、失效分析与良率工程 在现代集成电路制造中,可靠性是至关重要的环节。本部分详细讨论了影响器件长期稳定性的关键物理机制: 1. 热载流子效应(HCI): 深入分析了高电场下热载流子注入到栅氧层中导致的阈值电压漂移与跨导下降。 2. 栅氧化层击穿(TDDB): 讨论了电子的Fowler-Nordheim隧穿、直接隧穿机制,以及氧空位缺陷的形成与累积对寿命的影响。 3. 电迁移(Electromigration): 阐述了在金属互连中,电子风对金属原子的推移作用,以及Black方程的物理意义,并探讨了应对策略。 4. 静电放电(ESD)保护: 从器件层面分析了ESD事件中产生的瞬态高电流和高热量,以及如何设计保护电路以确保芯片的生存能力。 附录: 包含关键材料(Si, GaAs, Ge)的物理常数表、能带计算的基础数学工具(如格林函数初步介绍)、以及常用半导体工艺参数的对照表,便于读者快速查阅和应用。 本书致力于提供一个从微观粒子到宏观电路器件的完整、自洽的知识体系,强调物理机制与工程实现的紧密结合。

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读后感

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用户评价

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作为一名初入电力电子领域的研究生,我本来想通过这本书建立起对电源系统设计的完整认知框架,特别是对一些复杂控制算法的实现细节有所了解。结果这本书的“实用性”体现在了对概念的极其肤浅的描述上。对于功率因数校正(PFC)部分,它仅仅停留在了讲解升压型PFC的基本工作原理,画了个理想的电流波形图就草草收场。而当我真正去尝试设计一个基于平均电流模控制的临界导通模式(BCM)PFC电路时,书中关于环路补偿的讲解简直是灾难性的——它只给出了一个非常简化的开环传递函数,完全没有涉及如何根据输入电压范围、负载变化来精确计算补偿器的极点和零点,更遑论考虑到系统中的寄生参数对稳定性的影响。我不得不花费额外大量时间去查阅学术论文和更专业的教科书才能真正理解环路设计背后的物理意义和数学推导。这本书更像是一本给大一学生做的入门科普读物,而非面向需要解决实际工程难题的“手册”。

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这本号称“实用”的电源技术手册,着实让我这个混迹电子行业多年的老鸟捏了一把汗。我本来满心期待能找到一些针对新型半导体器件的驱动拓扑、或者至少是关于最新一代SiC MOSFET在高温高频应用下的详细热管理方案。然而,翻开目录,映入眼帘的却是大量篇幅在讲解基础的线性稳压器设计,以及那些早在二十年前就已经被开关电源全面取代的理论。内容陈旧得令人发指,仿佛是从上个世纪九十年代的期刊上拼凑出来的。举个例子,关于电磁兼容性的部分,它花了大量的篇幅去讨论PCB走线应力与地平面分割的传统方法,却完全没有提及诸如共模扼流圈的优化选型,或者高密度封装下辐射噪声的建模分析。对于需要设计面向5G基站、电动汽车充电桩这类对效率和可靠性要求极高的现代电源系统的工程师来说,这本书简直就是一本“反向学习”指南。我实在不理解,在技术日新月异的今天,出版商为何要推这样一本在核心技术点上几乎毫无建树的书籍,它对提升实际工程能力几乎没有可见的帮助。

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我购买这本书的初衷是希望它能成为我工作台上的一个快速参考工具,尤其是在处理一些电源故障诊断时,能迅速定位问题所在。然而,这本书的“故障排除”章节,其内容基本等同于一个新手会犯的低级错误列表:开关管烧毁、输出电压过低、元件冒烟。它完全没有涵盖现代电源系统中常见的复杂故障模式,比如驱动电路的共振问题、反馈环路的自激振荡、或者是在特定温度漂移下导致的保护电路误触发。对于一个有经验的工程师而言,这些内容毫无价值;对于一个新手而言,它提供的诊断流程又过于简单,无法指导他们定位到那些隐藏在复杂数字控制逻辑深处的微妙问题。这本书的深度和广度都未能达到一本合格的“技术手册”应有的标准,它更像是一本被时间遗忘的、针对基础电路知识的复习资料,而非一本能指导我们应对当前技术挑战的实用指南。

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我对这本书的失望主要集中在材料选择和可靠性工程这块。我们都知道,电源设计的瓶颈往往不在于拓扑本身,而在于元件的承受能力和寿命。我期待能看到关于新型磁性材料(如非晶合金、纳米晶)在宽禁带器件(GaN/SiC)驱动下的损耗特性对比,或者至少是对现阶段主流铁氧体材料在不同工作频率和温度下的磁芯损耗曲线进行详细的图表分析。然而,这本书里关于变压器的设计章节,充斥着大量基于经验公式和固定安全规范的引用,缺乏深入的物理模型支持。例如,它提到了温升问题,却仅仅建议留出散热空间,而没有提供一个基于空气动力学和热阻网络的定量分析方法来预测特定外壳内的热点温度。对于需要通过热仿真来验证设计的工程师来说,这本书提供的指导价值趋近于零,它提供的知识点更像是停留在“怎么做”的层面,而完全没有触及“为什么这么做”以及“如何优化”的深层逻辑。

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从排版和资料引用的角度来看,这本手册的编撰质量也堪忧。许多图表看起来像是从上世纪的黑白印刷品中直接扫描出来的,分辨率极低,线条模糊不清,严重影响了对电路原理图和波形的辨识度。更让人难以接受的是,很多重要的公式推导过程被省略,或者直接给出了一个结论,这使得读者在遇到特殊工况(例如输入电压极端变化或负载瞬态响应)时,无法根据已有的理论基础进行合理的调整和预测。例如,在讨论钳位电路的设计时,它没有区分有源钳位和无源钳位的优劣及其应用场景,只是简单地给出了一个固定钳位电压值的经验公式。这种缺乏严谨性和系统性的编撰风格,让读者在学习过程中充满了不确定性,读起来非常费力,需要频繁地在其他资料间进行交叉比对,大大削弱了作为一本“手册”应有的便捷性与权威性。

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