电路考研大串讲

电路考研大串讲 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

出版者:科学出版社
作者:孙立山
出品人:
页数:207
译者:
出版时间:2006-8
价格:28.00元
装帧:简裝本
isbn号码:9787030172617
丛书系列:
图书标签:
  • 考研
  • 电路分析
  • 电路原理
  • 考研
  • 复习
  • 电子技术
  • 电路基础
  • 电源
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具体描述

孙立山、杨旭强、霍炬、金钊编著的《电路考研大串讲》是为在校电气信息类本科生课程学习和考研复习而编写的参考书。全书共分12章,内容包括线性直流电路分析、电路定理、正弦稳态电路分析、三相电路、谐振电路、非正弦周期电流电路、线性动态电路的时域分析、线性动态电路的复频域分析、网络图论和状态方程、二端口网络、非线性电路、均匀传输线。每章分为名师辅导、考研真题详解和考研试题精选三部分。附录还提供了哈尔滨工业大学等几所著名高校近两年电路课程的考研试题9套。试题均给出参考答案及部分提示。

《电路考研大串讲》对从事电工理论教学的教师及相关工程技术人员具有一定的参考价值。

《微电子学基础与应用》 内容简介 本书旨在为初学者和希望系统复习微电子学核心概念的读者提供一本全面、深入且注重实践的教材。全书结构清晰,内容覆盖了从半导体物理基础到现代集成电路设计与制造的各个关键环节,力求在理论深度与工程实用性之间找到完美的平衡点。 第一部分:半导体物理与器件基础 本部分是理解现代电子学的基石。我们从材料科学的角度切入,详细阐述了晶体结构、能带理论以及载流子输运现象。重点解析了本征半导体和掺杂半导体的特性,尤其深入探讨了费米能级、空穴和电子的浓度分布,以及温度和光照对这些特性的影响。 随后,本书系统地介绍了半导体二极管。不仅仅停留在P-N结的静态I-V特性描述上,我们还细致分析了结电容、存储时间等动态参数,并讨论了不同类型的二极管在实际电路中的应用,如稳压管、肖特基二极管和光电二极管的工作原理及局限性。 核心章节聚焦于双极性结型晶体管(BJT)。我们采用分步推导的方式,详尽解释了BJT的Ebers-Moll模型和简化模型(如混合$pi$模型)的建立过程。从载流子的注入、扩散到集成的过程,力求让读者彻底理解共射、共基、共集三种基本组态的电流放大机制和输入输出阻抗特性。此外,对于BJT在高频下的响应和非线性失真问题,本书也进行了专业的分析和建模。 第二部分:场效应晶体管(FET)及其电路 本部分重点转向当前主流的场效应晶体管技术。首先,对MOS结构进行了深入的剖析,包括界面效应、栅极氧化层的绝缘特性,以及阈值电压的精确计算。随后,详细讲解了增强型和耗尽型NMOS和PMOS晶体管的工作原理,推导了其跨导特性和欧姆区、饱和区的I-V关系。 针对CMOS技术,本书投入了大量篇幅。我们不仅分析了标准CMOS反相器作为基本逻辑单元的静态和动态特性,包括其噪声容限、传播延迟和功耗分析,还拓展至CMOS逻辑门的各种结构,如传输门(Transmission Gate)和复合逻辑(Complex Logic)。读者将掌握如何利用CMOS的低功耗优势设计高性能电路。 第三部分:模拟集成电路设计基础 本部分是电路应用的核心体现。我们从最基本的有源器件单元开始,系统构建了模拟电路模块。 1. 偏置与电流源: 详细介绍了各种电流镜电路的设计,包括镜像电流源、委曲电流源(Widlar Current Source)及其在实现高输出阻抗方面的优缺点对比。 2. 放大器设计: 涵盖了从单级共源放大器到多级反馈放大器的设计。重点分析了差分放大器的工作原理,推导其共模抑制比(CMRR)和电源抑制比(PSRR)。对于反馈理论,本书提供了一个直观的入门,解释了负反馈对增益、带宽和失真的影响。 3. 运算放大器(Op-Amp)基础: 阐述了理想运放与实际运放的差异,重点研究了频率补偿技术,如米勒补偿法,以确保反馈系统的稳定性。输出级设计(如推挽级)也被纳入讨论,以解决驱动能力问题。 第四部分:数字电路与逻辑设计 本部分将理论与实际的数字系统设计紧密结合。首先回顾了布尔代数和卡诺图化简,为理解组合逻辑奠定基础。 随后,本书详细介绍了各种典型逻辑门(TTL和CMOS)的内部结构和工作特性,特别是CMOS逻辑电路的速度与功耗权衡。在时序逻辑方面,详细分析了触发器(Flip-Flops)和锁存器(Latches)的建立时间和保持时间要求,以及它们在寄存器和移位寄存器中的应用。 状态机的设计是本部分的重头戏。我们通过详细的例子,指导读者如何从规格描述到状态图、状态表,最终转化为逻辑电路图(使用D触发器或JK触发器)。 第五部分:半导体制造工艺简介(选读) 为了提供更全面的视角,本书最后简要介绍了半导体器件的制造流程。内容涵盖了光刻技术、薄膜沉积(氧化、扩散、离子注入)和刻蚀技术。这部分内容旨在帮助读者理解器件参数的物理限制是如何由制造工艺决定的,从而在电路设计时做出更合理的选择。 全书特色 深度与广度兼顾: 理论推导严谨,同时涵盖了现代模拟和数字电路设计的关键模块。 注重工程实践: 每章末尾均附有“设计案例分析”,展示如何将理论应用于实际芯片设计流程。 丰富的习题: 章节末尾的习题覆盖了计算、概念辨析和小型设计任务,有助于读者检验学习效果。 本书适合作为高等院校电子信息工程、微电子科学与工程等专业本科高年级或研究生的教材与参考书,对于准备相关领域专业考试的人士,也能提供极佳的知识梳理和巩固作用。

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要是有习题解析就更好了

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