本書從嶄新的視角給齣模擬CMOS電路設計的摺中和優化方法, 提齣瞭反型係數的概念, 推齣采用反型係數、漏極電流和溝道長度作為器件和電路設計的三個選項的設計方法。全書分為兩部分, 第一部分深入、細緻地研究瞭三個選項對器件、基本電路各種性能的影響;對於諸如速度飽和、垂直電場遷移率減小、漏緻勢壘降低等短溝道效應以及熱噪聲、閃爍噪聲和失配等高階效應對器件和電路性能的影響給齣較為深入、詳細的介紹;在給齣由基本物理概念推導得齣公式的同時, 本書常會給齣適閤於手工計算的簡單錶達式, 以及設計選項對性能影響的變化趨勢, 並配以預測或實測的圖錶。第二部分采用CMOS工藝結閤典型電路(運算跨導放大器和微功耗, 低噪聲前置放大器)設計進行實例介紹, 給齣瞭各種情況下電路優化設計的結果和相應的分析。其中, 值得一提的是本書介紹瞭一種采用模擬CMOS設計、摺中和優化電子數據錶的設計方法。采用該方法, 設計者可以通過調整MOS器件的漏極電流, 反型係數和溝道長度, 對模擬CMOS電路進行快速的初始優化, 並觀察所得到器件和完整電路的性能。這種設計方法在設計之初就為設計者提供瞭一種設計直覺和今後優化的方嚮。
發表於2024-11-29
模擬CMOS電路設計摺中與優化 2024 pdf epub mobi 電子書 下載
圖書標籤: 簡體中文 模擬電路 中國 kk 2013
匆匆瀏覽完畢。本書主要從MOS器件層麵,利用反型層係數和gm/Ic方法介紹各項直流、交流指標的Tradeoff。整本書自成體係,敘述的視角比較新穎。 不過,工程性感覺不是很強,直接應用到設計還比較睏難。此外,書中經常發生前麵的章節引用後麵的章節、圖片的情況,讀起來還是有點費力。
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