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Molecular Beam Epitaxy

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Molecular Beam Epitaxy describes a technique in wide-spread use for the production of high-quality semiconductor devices. It discusses the most important aspects of the MBE apparatus, the physics and chemistry of the crystallization of various materials and device structures, and the characterization methods that relate the structural parameters of the grown (or growing) film or structure to the technologically relevant procedure. In this second edition two new fields have been added: crystallization of as-grown low-dimensional heterostructures, mainly quantum wires and quantum dots, and in-growth control of the MBE crystallization process of strained-layer structures. Out-of-date material has been removed.

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出版者:Springer Verlag
作者:Sitter, Helmut
出品人:
頁數:453
譯者:
出版時間:
價格:$ 95.99
裝幀:Pap
isbn號碼:9783540605942
叢書系列:

圖書標籤:  


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