Vlsi-design Of Non-volatile Memories pdf epub mobi txt 電子書 下載2026

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出版者:Springer Verlag

作者:Campardo, Giovanni/ Micheloni, R./ Novosel, Daniel

出品人:

頁數:740

译者:

出版時間:

價格:$209.00

裝幀:HRD

isbn號碼:9783540201984

叢書系列:

圖書標籤:

• VLSI
• 非易失性存儲器
• 存儲器設計
• 集成電路
• 半導體存儲器
• 存儲係統
• 電子工程
• 計算機工程
• 存儲技術
• 低功耗設計

模擬集成電路設計與分析：從基礎到前沿應用 圖書簡介 本書旨在為電子工程、微電子學和相關領域的學生、研究人員以及專業工程師提供一個全麵、深入且高度實用的模擬集成電路設計與分析的知識體係。不同於側重於存儲器陣列或特定數字邏輯的文獻，《模擬集成電路設計與分析：從基礎到前沿應用》 專注於構建現代電子係統的核心——高性能、低功耗的模擬和混閤信號電路的理論基礎、設計方法學以及實際實現技術。 本書內容組織嚴謹，從電路理論的復習入手，逐步深入到復雜的晶體管級電路設計，最終涵蓋瞭當前業界關注的熱點應用領域。全書結構清晰，理論推導詳盡，並配以大量來自實際設計案例的仿真驗證和性能分析，確保讀者不僅能理解“是什麼”，更能掌握“如何做”。 --- 第一部分：模擬電路設計基礎與有源器件模型（The Bedrock） 本部分奠定瞭整個模擬設計領域所需的理論基石，重點在於理解半導體器件的物理行為及其在電路中的等效模型。 第一章：半導體器件物理迴顧與CMOS模型 詳細迴顧PN結、MOSFET的基本工作原理，重點解析瞭亞閾值區、綫性區和飽和區的特性。深入探討瞭短溝道效應、載流子速度飽和等對現代CMOS工藝的影響。本章將精確分析BSIM（Berkeley Short-channel IGFET Model）等工業標準模型的關鍵參數，並指導讀者如何根據工藝庫文檔，提取和應用這些模型進行準確的電路仿真。 第二章：基本單元電路分析與偏置技術 係統介紹各種偏置電路的設計，包括電流源、電壓基準和電流鏡。重點分析瞭電流鏡的失配（Mismatch）、共模抑製比（CMRR）和電源抑製比（PSRR）的理論限製。詳細講解瞭如何利用先進的偏置技巧（如自偏置、自舉技術）來實現高精度、高穩定性的工作點。 第三章：單級和多級放大器設計 這是模擬電路設計的核心。本章從最基礎的共源、共柵、共射極結構開始，逐步過渡到實用的兩級運放、摺疊式運放（Folded Cascode）和尾電流源共源共柵（Telescopic Cascode）結構。對於每種結構，本書都提供瞭詳細的直流增益、相位裕度、單位增益帶寬（GBW）的解析計算方法，並探討瞭噪聲源（熱噪聲、閃爍噪聲）的建模和優化策略。 --- 第二部分：反饋、穩定性和噪聲控製（The Performance Pillars） 有效的反饋機製是實現高性能模擬電路的關鍵，而穩定性與噪聲是衡量電路質量的兩大核心指標。 第四章：負反饋理論與補償技術 全麵解析瞭反饋放大器的波德圖分析、穩定性判據（如相位裕度、增益裕度）。重點講解瞭頻率補償技術，包括密勒補償（Miller Compensation）、導納提升（Nulling Resistor）以及先進的零點-極點對消技術。本章通過一係列實際運放的例子，演示瞭如何設計齣在不同負載條件下都能穩定工作的電路。 第五章：綫性度與失真分析 探討瞭模擬電路的非綫性特性，包括高階諧波失真（HD2, HD3）的産生機理。詳細介紹瞭輸入/輸齣擺幅的限製、壓擺率（Slew Rate）的計算及其對信號保真度的影響。本章將深入分析如何通過優化晶體管尺寸、偏置電流以及拓撲結構來提升電路的綫性度，例如使用源極跟隨器或改進的共源共柵結構。 第六章：隨機與熱噪聲的抑製 係統闡述瞭熱噪聲、閃爍噪聲（1/f Noise）和隨機過程噪聲在MOSFET中的來源和建模。指導讀者如何使用噪聲分析工具（如均方根值法、噪聲因子）來量化電路的整體噪聲性能。重點介紹瞭提高信噪比（SNR）的設計技巧，如噪聲白化、共模噪聲抑製以及低噪聲放大器（LNA）的設計原理。 --- 第三部分：數據轉換器與高級模擬模塊（The Integration Frontier） 本部分將理論應用於復雜的混閤信號係統，特彆是高速高精度的數據轉換器（ADC/DAC）的設計。 第七章：開關電容電路與采樣保持器 解析瞭開關電容（Switched-Capacitor, SC）技術在模擬濾波器和采樣電路中的應用。詳細介紹瞭采樣保持（Sample-and-Hold, S/H）電路的設計要求，包括建立時間（Acquisition Time）、毛刺（Glitch）和抖動（Jitter）對ADC性能的影響。 第八章：數模轉換器（DAC）設計 全麵覆蓋瞭主流DAC架構，包括電阻梯形（Resistor Ladder）、電阻平均（R-2R）以及電容分母（Charge Scaling）結構。重點分析瞭失配誤差、非綫性誤差（INL/DNL）的來源，並介紹瞭矯正技術和先進的隨機失配校正方法。 第九章：模數轉換器（ADC）設計 這是混閤信號電路的難點與重點。本書詳細分析瞭各類ADC的拓撲結構： Flash ADC: 速度的極限與失調校正。 Pipeline ADC: 級間增益和殘餘電荷處理。 Sigma-Delta ($SigmaDelta$) ADC: 噪聲整形原理、環路濾波器設計與量化器的選擇。 深入講解瞭如何通過係統級優化來平衡速度、分辨率和功耗。 --- 第四部分：低功耗與先進工藝挑戰（Modern Imperatives） 本部分關注如何在日益嚴格的功耗限製和先進（如FinFET）工藝節點下進行有效的模擬設計。 第十章：低壓低功耗設計技術 探討瞭在深亞微米及以下工藝中，如何應對器件閾值電壓的限製。詳細介紹瞭超低壓（Sub-VT）偏置技術、動態閾值MOSFET（DTMOS）的應用，以及如何利用亞閾值導電進行極低功耗運算。 第十一章：工藝變異與匹配性設計 針對現代工藝中器件參數（如$V_{TH}, K_n$）的隨機失配和工藝角（Corner）變化，本書提齣瞭魯棒性設計的方法。重點介紹瞭晶體管匹配的重要性，以及如何通過共質心布局（Common-Centroid Layout）、共源極/共柵極（Cascode）共用結構來最小化匹配誤差。 第十二章：RF與高速模擬前端（Optional Advanced Topics） 簡要介紹瞭射頻（RF）模擬電路的基本要求，包括阻抗匹配網絡（Smith Chart應用）、噪聲係數的優化，以及低噪聲放大器（LNA）和混頻器（Mixer）的基本架構，為讀者嚮無綫通信領域擴展知識邊界提供指引。 --- 本書特色： 1. 分析驅動設計： 強調解析公式推導，而非僅依賴黑盒仿真結果，幫助讀者理解設計決策背後的物理根源。 2. 工藝視角： 始終將電路設計置於實際半導體工藝的約束之下進行討論，覆蓋瞭從0.5 $mu m$ 到更先進節點的關鍵挑戰。 3. 綜閤應用： 將數據轉換器作為綜閤應用案例，串聯起放大、采樣、反饋和噪聲控製等所有基礎知識點。 本書是為所有緻力於掌握高性能、高集成度模擬和混閤信號IC設計的專業人士準備的權威參考資料。

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