Ulsi Process Integration pdf epub mobi txt 電子書 下載2026

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出版者:Electrochemical Society

作者:Claeys, C. L. (EDT)/ Iwai, H. (EDT)/ Booner, G. (EDT)/ Fair, Richard B. (EDT)

出品人:

頁數:0

译者:

出版時間:

價格:65

裝幀:HRD

isbn號碼:9781566772419

叢書系列:

圖書標籤:

• 集成電路
• 半導體製造
• 工藝集成
• VLSI
• 器件物理
• 薄膜技術
• 刻蝕
• 離子注入
• 擴散
• 氧化
• 化學氣相沉積
• CVD
• CMP
• 可靠性
• 測試
• 封裝

好的，這是一份關於《Ulsi Process Integration》之外的、詳細的圖書簡介。為瞭確保內容的豐富性和專業性，我們將構建一個關於“先進半導體製造中的超精密加工與集成技術”的虛構圖書簡介。 圖書名稱：《超越極限：先進半導體製造中的超精密加工與集成技術》 圖書簡介 在當前信息技術飛速發展的時代，半導體器件的性能已成為衡量國傢科技實力的關鍵指標。隨著摩爾定律的持續推進，晶體管尺寸已逼近物理極限，對製造工藝的精度、集成度和材料科學提齣瞭前所未有的挑戰。《超越極限：先進半導體製造中的超精密加工與集成技術》一書，正是為瞭係統梳理和深入探討當前半導體製造領域最前沿、最關鍵的“超精密加工”與“係統級集成”技術而撰寫。 本書並非傳統意義上的半導體器件物理或工藝流程的概覽，而是聚焦於那些決定下一代芯片性能和良率的“瓶頸技術”——那些需要將加工精度提升至原子級、對材料特性提齣極緻要求的核心環節。全書共分為五大部分，邏輯上層層遞進，從微觀尺度的加工控製，到宏觀尺度的係統集成，構建瞭一幅完整的超精密製造藍圖。 第一部分：原子級精確加工的理論與實踐基礎 本部分深入探討瞭實現納米甚至亞納米級加工的理論基礎。重點剖析瞭錶麵能、界麵物理學在超精密加工過程中的核心作用。詳細介紹瞭先進的光刻技術（如高數值孔徑EUV光刻）在圖案轉移過程中麵臨的物理限製，包括散射、衍射效應以及光刻膠的分子級響應機製。 特彆值得一提的是，本部分引入瞭“動態材料去除模型”，該模型超越瞭傳統的侵蝕速率概念，納入瞭能量輸入與材料去除過程中瞬時熱梯度和應力分布的耦閤分析，這對於理解離子束刻蝕、反應離子刻蝕（RIE）以及創新的原子層刻蝕（ALE）至關重要。我們不僅展示瞭如何控製刻蝕的各嚮異性，更側重於如何通過精確控製反應氣體流量、等離子體特性和射頻功率的組閤，實現對材料去除速率的亞單層級精度控製，有效抑製側壁粗糙度（Line Edge Roughness, LER）和綫寬變化（Line Width Roughness, LWR）。 第二部分：新型功能材料的超精密製備與錶徵 隨著後CMOS時代的臨近，傳統矽基材料的性能已趨於飽和。本部分專注於新型二維材料（如石墨烯、二硫化鉬）和三維異質結的生長與加工技術。探討瞭分子束外延（MBE）、化學氣相沉積（CVD）在生長高質量單晶薄膜中的最新進展。 核心內容集中在如何對這些新型材料進行“無損傷”的加工。例如，如何利用低溫等離子體或受控的化學方法實現對二維材料的精確邊緣修飾，同時最大限度地保留其優異的電學和光學性能。書中詳細闡述瞭利用先進的透射電子顯微鏡（TEM）和原子力顯微鏡（AFM）技術，對加工界麵的原子結構、缺陷密度和應變分布進行實時、原位（in-situ）的錶徵方法，確保加工過程的有效反饋與迭代優化。 第三部分：高密度互連與三維異構集成技術 集成度的提升已不再僅僅依賴於二維平麵的尺寸縮小，三維集成（3D IC）和異構集成已成為主流趨勢。本部分著眼於如何將不同功能模塊（如邏輯、存儲、傳感器）進行高效、可靠的垂直堆疊和互聯。 詳細介紹瞭高深寬比（HAR）矽通孔（TSV）的製造工藝，包括介電層沉積的均勻性控製、TSV內壁的錶麵處理以降低寄生電阻和電容，以及實現高強度、低應力的晶圓鍵閤技術。尤其深入分析瞭“混閤鍵閤”（Hybrid Bonding）技術，這是實現納米級間距互連的關鍵。書中不僅分析瞭鍵閤界麵在電學性能上的影響，還討論瞭熱管理挑戰，如如何設計導熱路徑以防止局部過熱導緻集成器件的可靠性下降。 第四部分：缺陷工程與良率管理的先進方法論 在納米尺度下，單個原子尺度的缺陷（如金屬汙染物、晶格位錯或錶麵殘留物）都可能導緻器件失效。本部分從統計物理和材料缺陷工程的角度，探討瞭如何從根本上減少缺陷的産生，並在製造過程中實現快速、高靈敏度的檢測與修復。 內容涵蓋瞭先進的在綫檢測（In-line Metrology）技術，如基於深度學習的圖像識彆係統在缺陷分類與定位上的應用，以及對復雜工藝（如CMP——化學機械拋光）進行精確反饋控製的算法。書中提齣瞭一種“缺陷風險預測模型”，該模型綜閤瞭批次曆史數據、工藝參數波動和材料特性，能夠提前預警可能導緻高缺陷率的製造窗口，從而實現主動式的工藝調控，而非被動的質量控製。 第五部分：麵嚮未來計算架構的集成挑戰 最後一部分將視角提升至係統層麵，探討超精密製造如何支撐新興的計算範式。包括瞭對憶阻器（Memristor）、量子點（Quantum Dot）傳感器陣列等非馮·諾依體架構的製造需求分析。重點討論瞭如何將這些新型器件與傳統CMOS電路進行“異質集成”，以實現高能效比的混閤計算單元。 內容還延伸至製造過程中的可靠性工程，特彆是針對高應力環境下的封裝與測試，以及如何通過先進的仿真工具，在物理製造之前，對集成結構的熱、力、電學耦閤效應進行全麵預測，確保最終産品的長期穩定性和性能可預測性。 總結 《超越極限：先進半導體製造中的超精密加工與集成技術》是一部麵嚮高級工程技術人員、科研人員和高年級研究生的專業參考書。它摒棄瞭對基礎概念的冗餘描述，直擊當前半導體工業界和學術界最前沿、最具挑戰性的技術熱點，緻力於為讀者提供一套全麵、深入、且具有高度實踐指導意義的超精密製造解決方案框架。本書的價值在於連接瞭材料科學、物理學、精密機械與先進電子工程的知識鴻溝，為推動下一代信息技術的迭代發展提供堅實的工藝基礎。

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