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出版者:World Scientific Pub Co Inc

作者:Zhe Chuan Feng

出品人:

頁數:440

译者:

出版時間:2006-3

價格:$ 208.00

裝幀:HRD

isbn號碼:9781860946363

叢書系列:

圖書標籤:

氮化鎵
氮化鋁
III-V族半導體
半導體材料
材料科學
薄膜技術
晶體生長
電子材料
光電子器件
寬禁帶半導體

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具體描述

III-Nitride semiconductor materials — (Al, In, Ga)N — are excellent wide band gap semiconductors very suitable for modern electronic and optoelectronic applications. Remarkable breakthroughs have been achieved recently, and current knowledge and data published have to be modified and upgraded. This book presents the new developments and achievements in the field. Written by renowned experts, the review chapters in this book cover the most important topics and achievements in recent years, discuss progress made by different groups, and suggest future directions. Each chapter also describes the basis of theory or experiment. The III-Nitride-based industry is building up and new economic developments from these materials are promising. It is expected that III-Nitride-based LEDs may replace traditional light bulbs to realize a revolution in lighting. This book is a valuable source of information for engineers, scientists and students working towards such goals.

《Iii-nitride Semiconductor Materials》是一本深入探索高性能半導體材料的新型書籍。這本書係統地介紹瞭氮化鎵基材料在現代電子技術中的重要作用，通過詳細分析其物理性質、製備方法以及廣泛應用，幫助讀者全麵理解這一領域的最新進展。內容涵蓋從基礎理論到前沿研究的各個方麵，為讀者提供一個紮實的知識框架。書中不僅闡述瞭氮化鎵及其相關衍生物在晶體結構、電子特性和光學性能上的獨特優勢，還詳細描述瞭各種製備工藝的優劣勢，包括化學氣相沉積、物理氣相沉積等先進技術，使讀者能夠掌握當前研究熱點。書籍強調不同應用場景下氮化鎵材料的重要性，例如在光電子設備、太陽能電池和高頻電子器件中的錶現。這些內容通過大量圖示和實驗數據來支撐，使理論更加直觀易懂。此外，作者對該領域的最新發展進行瞭全麵總結，從新材料的發現到産業化進程，覆蓋瞭從基礎研究到實際應用的全鏈條。書中還特彆關注環境友好性與可持續發展的趨勢，介紹瞭綠色閤成方法以及節能環保製備技術，為讀者提供瞭長遠的發展視角。書籍結構清晰，分為多個章節逐步引導讀者深入理解氮化鎵材料的多樣性及其在科技中的重要地位。內容豐富，不僅適用於材料科學專業的學生，也對跨學科領域的研究人員和工程技術人員具有參考價值。通過係統性的講解，這本書旨在提升讀者對氮化鎵基半導體材料的認知水平，激發他們進一步探索這一充滿潛力的領域。總體而言，《Iii-nitride Semiconductor Materials》不僅是一部技術性強的書籍，更是一份深入淺齣的知識寶庫，它為讀者提供瞭全麵、權威且易於理解的閱讀體驗。無論是初學者還是資深研究者，都能夠從中獲取有價值的信息和啓示，助力他們在這一快速發展的科技前沿中不斷成長。書中詳盡而紮實的內容設計，使其成為學習與研究的高效工具，有助於推動整個行業的發展。