專傢推薦
寫作緣由與編寫過程
緻謝
第1章 引言
1.1崛起的CMOS工藝製程技術
1.1.1 雙極型工藝製程技術簡介
1.1.2 PMOS工藝製程技術簡介
1.1.3 NMOS工藝製程技術簡介
1.1.4 CMOS工藝製程技術簡介
1.2 特殊工藝製程技術
1.2.1 BiCMOS工藝製程技術簡介
1.2.2 BCD工藝製程技術簡介
1.2.3 HV- CMOS工藝製程技術簡介
1.3 MOS集成電路的發展曆史
1.4 MOS器件的發展和麵臨的挑戰
參考文獻
第2章 先進工藝製程技術
2.1 應變矽工藝技術
2.1.1 應變矽技術的概況
2.1.2 應變矽技術的物理機理
2.1.3 源漏嵌入SiC應變技術
2.1.4 源漏嵌入SiGe應變技術
2.1.5 應力記憶技術
 2.1.6 接觸刻蝕阻擋層應變技術
2.2 HKMG工藝技術
2.2.1 柵介質層的發展和麵臨的挑戰
2.2.2 襯底量子效應
2.2.3 多晶矽柵耗盡效應
2.2.4 等效柵氧化層厚度
2.2.5 柵直接隧穿漏電流
2.2.6 高介電常數介質層
2.2.7 HKMG工藝技術
2.2.8 金屬嵌入多晶矽柵工藝技術
2.2.9 金屬替代柵極工藝技術
2.3 SOI工藝技術
2.3.1 SOS技術
2.3.2 SOI技術
2.3.3 PD- SOI
2.3.4 FD- SOI
2.4 FinFET和UTB-SOI工藝技術
2.4.1 FinFET的發展概況
2.4.2 FinFET和UTB- SOI的原理
2.4.3 FinFET工藝技術
參考文獻
第3章 工藝集成
3.1 隔離技術
3.1.1 pn結隔離技術
3.1.2 LOCOS（矽局部氧化）隔離技術
3.1.3 STI（淺溝槽）隔離技術
3.1.4 LOD效應
3.2 硬掩膜版工藝技術
3.2.1 硬掩膜版工藝技術簡介
3.2.2 硬掩膜版工藝技術的工程應用
3.3 漏緻勢壘降低效應和溝道離子注入
3.3.1 漏緻勢壘降低效應
3.3.2 暈環離子注入
3.3.3 淺源漏結深
3.3.4 倒摻雜阱
3.3.5 阱鄰近效應
3.3.6 反短溝道效應
3.4 熱載流子注入效應和輕摻雜漏（LDD）工藝技術
3.4.1 熱載流子注入效應簡介
3.4.2 雙擴散漏（DDD）和輕摻雜漏（LDD）工藝技術
3.4.3 側牆（Spacer Sidewall）工藝技術
3.4.4 輕摻雜漏離子注入和側牆工藝技術的工程應用
3.5 金屬矽化物技術
3.5.1 Polycide工藝技術
3.5.2 Salicide工藝技術
3.5.3 SAB工藝技術
3.5.4 SAB和Salicide工藝技術的工程應用
3.6 靜電放電離子注入技術
3.6.1 靜電放電離子注入技術
3.6.2 靜電放電離子注入技術的工程應用
3.7 金屬互連技術
3.7.1 接觸孔和通孔金屬填充
3.7.2 鋁金屬互連
3.7.3 銅金屬互連
3.7.4 阻擋層金屬
參考文獻
第4章 工藝製程整閤
4.1 亞微米CMOS前段工藝製程技術流程
4.1.1 襯底製備
4.1.2 雙阱工藝
4.1.3 有源區工藝
4.1.4 LOCOS隔離工藝
4.1.5 閾值電壓離子注入工藝
4.1.6 柵氧化層工藝
4.1.7 多晶矽柵工藝
4.1.8 輕摻雜漏（LDD）離子注入工藝
4.1.9 側牆工藝
4.1.10 源漏離子注入工藝
4.2 亞微米CMOS後段工藝製程技術流程
4.2.1 ILD工藝
4.2.2 接觸孔工藝
4.2.3 金屬層1工藝
4.2.4 IMD1工藝
4.2.5 通孔1工藝
4.2.6 金屬電容（MIM）工藝
4.2.7 金屬2工藝
4.2.8 IMD2工藝
4.2.9 通孔2工藝
4.2.10 頂層金屬工藝
4.2.11 鈍化層工藝
4.3 深亞微米CMOS前段工藝技術流程
4.3.1 襯底製備
4.3.2 有源區工藝
4.3.3 STI隔離工藝
4.3.4 雙阱工藝
4.3.5 柵氧化層工藝
4.3.6 多晶矽柵工藝
4.3.7 輕摻雜漏（LDD）離子注入工藝
4.3.8 側牆工藝
4.3.9 源漏離子注入工藝
4.3.10 HRP工藝
4.3.11 Salicide工藝
4.4 深亞微米CMOS後段工藝技術
4.5 納米CMOS前段工藝技術流程
4.6 納米CMOS後段工藝技術流程
4.6.1 ILD工藝
4.6.2 接觸孔工藝
4.6.3 IMD1工藝
4.6.4 金屬層1工藝
4.6.5 IMD2工藝 1
4.6.6 通孔1和金屬層2工藝
4.6.7 IMD3工藝
4.6.8 通孔2和金屬層3工藝 
4.6.9 IMD4工藝
4.6.10 頂層金屬Al工藝
4.6.11 鈍化層工藝、
參考文獻
第5章 晶圓接受測試（WAT）
5.1 WAT概述
5.1.1 WAT簡介
5.1.2 WAT測試類型
5.2 MOS參數的測試條件
5.2.1 閾值電壓 V t 的測試條件
5.2.2 飽和電流 I dsat 的測試條件
5.2.3 漏電流 I off 的測試條件
5.2.4 源漏擊穿電壓 BVD的測試條件
5.2.5 襯底電流 I sub 的測試條件
5.3 柵氧化層參數的測試條件
5.3.1 電容 C gox 的測試條件
5.3.2 電性厚度 T gox 的測試條件
5.3.3 擊穿電壓 BV gox 的測試條件
5.4 寄生MOS參數測試條件
5.5 pn結參數的測試條件
5.5.1 電容 C jun 的測試條件
5.5.2 擊穿電壓 BV jun 的測試條件
5.6 方塊電阻的測試條件
5.6.1 NW方塊電阻的測試條件
5.6.2 PW方塊電阻的測試條件
5.6.3 Poly方塊電阻的測試條件
5.6.4 AA方塊電阻的測試條件
5.6.5 金屬方塊電阻的測試條件
5.7 接觸電阻的測試條件
5.7.1 AA接觸電阻的測試條件
5.7.2 Poly接觸電阻的測試條件
5.7.3 金屬通孔接觸電阻的測試條件
5.8 隔離的測試條件
5.8.1 AA隔離的測試條件
5.8.2 Poly隔離的測試條件
5.8.3 金屬隔離的測試條件
5.9 電容的測試條件
5.9.1 電容的測試條件
5.9.2 電容擊穿電壓的測試條件
後記
縮略語
· · · · · · (收起)