先进半导体材料及器件的辐射效应

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出版者:
作者:克拉艾
出品人:
页数:427
译者:刘忠立
出版时间:2008-3
价格:55.00元
装帧:
isbn号码:9787118054088
丛书系列:
图书标签:
  • 半导体材料
  • 辐射效应
  • 半导体器件
  • 空间辐射
  • 核辐射
  • 电子器件可靠性
  • 材料科学
  • 微电子学
  • 辐射损伤
  • 功率器件
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具体描述

《先进半导体材料及器件的辐射效应》在介绍辐射环境、空间应用器件的选择策略以及半导体材料和器件的基本辐射效应机理的基础上,介绍IV族半导体材料、GaAs材料、硅双极器件以及MOS器件的辐射损伤,接着介绍了基于GaAs材料辐射加固的场效应晶体管及空间应用的光电子器件,最后对先进半导体材料及器件的应用前景进行展望。

《先进半导体材料及器件的辐射效应》特别强调辐射效应的基本物理,介绍的内容反映当前半导体材料及器件辐射效应和辐射加固技术研究的最新进展,对于相关领域的研究及应用均具有重要的参考价值。

《先进半导体材料及器件的辐射效应》适合于从事空间技术及高能物理研究和应用,以及从事辐射加固半导体器件及制造等领域的广大科技人员阅读,也可以作为相关领域研究生及大学生的教学参考书。

这本书系统地探讨了半导体材料在实际应用过程中所面临的辐射效应,旨在为研究人员和工程师提供全面而深入的理论基础与实践指导。书中首先对半导体材料的基本性质进行详细解释,涵盖晶体结构、电学特性以及在不同辐射环境下可能出现的变化。这些内容帮助读者理解材料本身固有的特性,为后续分析辐射影响奠定了坚实基础。 接下来,书中深入分析了各种类型的辐射及其对半导体器件的具体作用机制。内容包括电子束、离子射线和高能粒子等不同辐射源的特性及其相互作用方式。这部分章节不仅解析了辐射的物理过程,还结合实验数据,阐明了这些效应如何在微观层面改变材料性能。 书中还系统梳理了辐射损伤对半导体器件性能的影响,详细描述了击穿电流、击穿角、载流子迁移率变化以及电容特性的退化等现象。这些内容通过大量实验数据和物理模型,为读者提供了准确的预测工具,有助于工程设计中进行辐射防护与材料优化。 此外,书中的专题章节特别关注半导体器件在航天、核工业、航空航天等高辐射环境下的实际应用挑战,并提出相应的解决方案和防护技术。这部分内容不仅强调了当前技术所面临的问题,还展现了未来发展方向,帮助读者理解如何通过材料创新和器件设计提升抗辐射能力。 书中还配备了大量的图表和实验案例,生动地展示了辐射效应的现实影响和解决路径。这些资料不仅丰富了理论知识,还为实际工程提供了可操作的参考框架,使读者能够更好地把握复杂过程。通过系统性研究与应用分析,该书为半导体领域从基础研究到产业应用提供了全方位支持。 总体而言,这本书不仅对半导体材料及其在辐射环境中的表现进行了深入解析,还结合最新的技术趋势和应用需求,为读者提供了一份极具参考价值的资料。这些详尽的内容旨在帮助从业人员更好地理解与应对辐射效应,推动半导体技术向更加稳定、可靠的方向发展。 这篇书籍结构严谨,内容丰富,适合广大科研工作者和工程技术人员阅读与学习,同时也为相关领域的教学提供了坚实的参考依据。

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