《普通高等教育"十一五"电子信息类规划教材•半导体物理与器件》较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ga在SiO（2）/Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有内容小结、思考题和习题。书后有附录，附录A是《普通高等教育"十一五"电子信息类规划教材•半导体物理与器件》的主要符号表，附录B是常用物理常数表，附录c是锗、硅、砷化镓主要物理性质表，附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。对《普通高等教育"十一五"电子信息类规划教材•半导体物理与器件》各章内容可以单独选择或任意组合使用。
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