Peter H.Aaen

分彆於1995年、1997年和2005年獲得加拿大多倫多大學工程科學學士學位和電氣工程碩士學位，以及美國亞利桑那州立大學電氣工程博士學位。他現在是美國亞利桑那州的飛思卡爾半導體公司射頻部門射頻建模小組的總管；他在1997年加入該公司(那時稱為摩托羅拉公司的生産事業部)。他的專業領域是為功率晶體管和IC的設計和開發建立無源和有源集約模型。在齣任總管之前，他緻力於為復雜封裝環境開發有效的電磁仿真方法。現在他的工作主要集中在微波晶體管模型和無源元件的開發和驗證方麵。他的技術方嚮還包括電磁優化方法、微波測量的校準技術和封裝建模技術的開發。

近年來，他齣席瞭IMS(國際微波研討會)和RWS(無綫電研討會)的各種專題學術討論會，在過去兩年中他是IMS技術項目委員會的成員。在電磁仿真、封裝建模以及微波器件建模和錶徵方麵，他單獨或與他人閤作完成瞭數十篇論文、專題文章和專題學術討論文章。他還是IEEE和MTT-S(微波理論與技術學會)的成員。

於1991年獲得位於馬亞圭斯的波多黎各大學電氣工程學士學位，於1993年獲得位於阿莫斯特的馬薩諸塞大學微波工程碩士學位。他現在是美國亞利桑那州的飛思卡爾半導體公司射頻部門設計機構的總管，他在1995年即加入該公司(那時稱為摩托羅拉公司的生産事業部)。在齣任總管之前，他曾是LDMOS建模小組的總管，工作主要是為LDMOS器件建立高功率射頻電熱器件模型，研究方嚮為封裝建模技術的開發、無源元件的建模，以及與小信號、大信號建模提取和校驗相關的電熱晶體管特性的測量技術。1991年，他加入瞭列剋星敦雷聲(Raytheon，Lexington)公司微波半導體實驗室的研究部。在雷聲公司期間，他主要從事於開發諸如GaAs MESFET、PHRMT和HBT的單片微波集成電路半導體器件的微波測量技術。

在微波器件與封裝建模和錶徵以及微波測量技術方麵，他單獨或與他人閤作完成瞭20多篇論文和專題文章。他還是IEEE和MTT-S的成員。

分彆於1976年和1980年獲得英國利茲大學電氣與電子工程學士學位和博士學位。他現在是美國亞利桑那州的飛思卡爾半導體公司射頻部門RF CAD和建模的高級技術貢獻者。他的專業領域為建立功率晶體管、IC集約器件模型和特性模型。為瞭實現和支持這些建模要求，他曾緻力於高功率脈衝I-V-RF測試係統，以實現可連接和在晶圓測試中的應用，並緻力於開發大信號網絡分析儀(LSNA)、負載牽引和包絡測量技術。在1997—2005年間，他在美國加州的安捷倫科技(那時稱為惠普)微波技術中心工作，在那裏他的研究工作為，使用LSNA測量和非綫性係統識彆技術對用於毫米波應用和非綫性特性建模的大信號、與偏執無關的綫性場效應管模型的分析、錶徵和開發。在1983—1997年間，他曾是英國約剋大學電子學係的教授。在那裏，他的研究和教學工作包括半導體器件、射頻微波電路、IC設計和器件建模。在進入學術界之前，他曾是英國sTL的高級研究工程師，負責GaAs IC及其製造工藝的設計和開發工作。

近年來，他組織或閤作組織並齣席瞭IMS(國際微波研討會)和RWS(無綫電研討會)的各種專題學術討論會；在過去的兩年裏，他在IMS2006的籌劃指導委員會工作，並且是ARFTG技術項目委員會的成員。在微波器件與係統建模和錶徵以及微波器件工藝方麵，他單獨或與他人閤作完成瞭80多篇論文、專題文章。他也是Fundamentals of Nonlinear BehavioralModeling forRF and Microwave Design(Artech House，2005)的閤作編輯。他是IEEE的會士，也是MTT-S和電子器件協會的成員。

《射頻微波功率場效應管的建模與特徵》首先迴顧瞭一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構造，介紹瞭高功率場效應管的集約模型的構成；描述瞭功率管一般電氣參數的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭、焊接裸綫、引綫等無源部分進行建模和仿真，熱特徵的測量仿真與建模；詳細分析瞭功率管有源部分的復閤建模，包括小信號建模、大信號建模，電荷守恒定理，溫度變化條件下的模型建立；還從數學上分析瞭集約模型的函數近似逼近方法，從工程設計的角度齣發闡述瞭模型在計算機輔助設計工具包中的應用，最後對設計的模型進行瞭驗證。