《碳基薄膜製備及場緻電子發射》內容簡介:對於碳基薄膜材料場緻電子發射特性的研究,國內外不少單位都投入瞭大量資金和人力。1996年,我國也正式將該課題列入國傢“八六三”計劃,我們研究組承擔瞭該課題的研究工作。關於碳基薄膜材料場緻電子發射特性的研究,之所以受到人們的廣泛重視,是因為該研究工作不僅對於碳基薄膜材料的結構以及場緻電子發射特性的研究具有科學意義,而且具有重要應用價值。碳基薄膜材料可以作為冷陰極電子源應用於真空微納電子器件、微波器件、X光管,以及掃描電子顯微鏡、掃描隧道顯微鏡、傳感器等現代探測儀器中;此外,碳基薄膜冷陰極用於場發射平闆顯示器(FED)也是人們關注和期盼的應用目標之一。
冷陰極場發射平闆顯示是自20世紀90年代以來得到迅速發展的一種新的平闆顯示技術。由於冷陰極場發射平闆顯示不僅具有液晶及等離子體平闆顯示器的超薄、重量輕等特點,而顯示原理和傳統的陰極射綫顯示器(CRT)一樣是陰極電子發射主動型發光,因此還具有亮度高、響應快、視角寬、色彩飽和度好等傳統顯示器(CRT)的一係列優點,且能量轉換效率高。鑒於場發射平闆顯示具有上述諸多優越性而受到瞭人們的極大重視。目前,國內外不少科研單位、高等院校、相關企業的研究中心都在積極開展該項研究工作,如在國內有中山大學、西安交通大學、東南大學、福州大學、華東師範大學、中國科學院物理所、中國科學院長春光機與物理研究所、中國科學院電子所等單位都先後開展瞭該項相關研究工作,並取得瞭一些可喜的研究進展。
發表於2024-11-24
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