Strained-si Heterostructure Field Effect Devices

作者:Maiti, C. K.

页数:440

出版时间:2007-1

价格:$ 225.94

isbn号码:9780750309936

具体描述

The combination of the materials science, manufacturing processes, and pioneering research and developments of SiGe and strained-Si have offered an unprecedented high level of performance enhancement at low manufacturing costs. Encompassing all of these areas, "Strained-Si Heterostructure Field Effect Devices" addresses the research needs associated with the front-end aspects of extending CMOS technology via strain engineering. The book provides the basis to compare existing technologies with the future technological directions of silicon heterostructure CMOS. After an introduction to the material, subsequent chapters focus on microelectronics, engineered substrates, MOSFETs, and hetero-FETs.In this book, each chapter presents recent research findings, industrial devices and circuits, numerous tables and figures, important references, and, where applicable, computer simulations. Topics covered include applications of strained-Si films in SiGe-based CMOS technology, electronic properties of biaxial strained-Si films, and the developments of the gate dielectric formation on strained-Si/SiGe heterolayers. The book also describes silicon hetero-FETs in SiGe and SiGeC material systems, MOSFET performance enhancement, and process-induced stress simulation in MOSFETs. From substrate materials and electronic properties to strained-Si/SiGe process technology and devices, the diversity of R&D activities and results presented in this book will no doubt spark further development in the field.

用户评价

从内容组织上看，作者似乎非常注重理论与实践的结合点，尽管理论部分占据了绝对的主导地位。我注意到书中用了大量的篇幅来分析器件的非理想效应，比如热载流子散射、界面态的俘获与释放等，这些恰恰是决定实际芯片性能和可靠性的关键所在。这种对“工程限制”的清醒认识，使得整本书的基调并非停留在完美的理论模型上，而是根植于真实的半导体制造环境中。举例来说，它对掺杂不均匀性如何影响阈值电压的波动进行了细致的数学建模，这对于需要进行工艺优化和良率提升的工程师来说，价值是无可估量的。它不是在描绘一个乌托邦式的完美器件，而是在解析一个在现实世界中努力达到极限的复杂系统，这种务实的态度令人赞赏。

这本书的封面设计简直是视觉的盛宴，那种深邃的蓝与金属银的交织，仿佛直接预示了半导体物理的复杂与深奥。初拿到手，厚实的纸张和精致的装帧就让人感受到一种沉甸甸的学术分量。我翻开扉页，里面的图表和公式布局清晰，逻辑链条似乎在试图引导读者穿越错综复杂的能带结构图。虽然我对这个具体领域了解不深，但从排版来看，它绝对是一本面向高阶研究人员或专业工程师的深度著作。它不仅仅是知识的堆砌，更像是一部精密仪器的工作手册，每一个章节的标题都充满了专业术语的魅力，暗示着对材料缺陷、界面效应以及器件性能极限的深刻探讨。阅读这类书籍，往往需要的不仅仅是智力上的投入，更是一种对物理本质的敬畏之心，期待它能将那些抽象的量子力学概念，通过扎实的工程应用案例，变得触手可及，为我打开理解现代微电子器件设计的新窗口。

这本书的图文排版和符号规范达到了学术出版的顶尖水准，这在处理复杂物理方程时尤为重要。每一次出现新的物理量或操作符，作者都确保了它在第一次出现时有清晰的定义，并且在后续章节中保持了一致性，这极大地减少了阅读时的认知负担。我注意到，即便是最复杂的傅里叶变换或偏微分方程组，其书写格式也严格遵循国际标准，避免了因符号歧义而导致的理解偏差。这种对细节的尊重，体现了作者对读者时间价值的珍视。在需要深入理解某些场效应晶体管的静电学特性的章节，那些精心绘制的能带图和电势剖面图，成为了理解抽象概念最直接的视觉锚点，清晰度高到几乎可以作为教学挂图使用。

坦白说，这本书的专业性门槛是毋庸置疑的，它需要读者具备扎实的固体物理和半导体器件物理基础。对于我这个处于学习曲线中段的读者而言，阅读的体验更像是一场持续的“认知升级”挑战。很多章节的推导过程，需要我反复回溯到前面的基础知识点才能完全跟上作者的逻辑跳跃。然而，正是在这种“被推动”的过程中，我的知识边界得到了极大的拓宽。它不是一本可以随意翻阅消遣的书籍，它要求你全身心地投入，去理解从原子尺度到宏观电学性能之间的那条漫长而精密的桥梁是如何搭建起来的。读完它，我感觉自己对“场效应”的理解不再是停留在简单的开关概念上，而是上升到了对界面物理学和载流子输运动力学的深层洞察，这是任何简短综述都无法给予的深度体验。

这本书的叙述风格，我个人觉得相当的“硬核”。它没有采用那种迎合初学者的渐进式讲解，而是直接切入了核心的物理机制和数学模型。我尤其欣赏它在讨论特定器件结构时，那种近乎偏执的细节还原度。比如，书中对二维电子气（2DEG）的形成机制的阐述，简直可以说是教科书级别的精细，从肖特基势垒的形成到载流子浓度的精确计算，每一步都经得起最严格的审视。这使得我不得不频繁地停下来，对照着我手边的其他参考资料进行交叉验证。这种阅读过程是费力的，但也是极其充实的，因为它迫使你必须调动起你所有的物理直觉和数学工具箱来跟上作者的思路。如果有人希望快速了解这个领域的概貌，这本书可能过于沉重，但对于那些渴望探究“为什么”和“如何精确控制”的硬核玩家来说，这无疑是一座值得攀登的高峰。