Gallium Arsenide Technology

Gallium Arsenide Technology pdf epub mobi txt 電子書 下載2026

出版者:H.W. Sams
作者:David R. Ferry
出品人:
頁數:2
译者:
出版時間:1985-9
價格:USD 44.95
裝幀:Hardcover
isbn號碼:9780672223754
叢書系列:
圖書標籤:
  • 砷化鎵
  • 半導體
  • 材料科學
  • 電子工程
  • 微電子學
  • 器件物理
  • 集成電路
  • 射頻電路
  • 光電子學
  • 化閤物半導體
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具體描述

《半導體材料的科學與應用》 本書深入探討瞭半導體材料的物理特性、化學性質以及其在現代科技中的廣泛應用。內容涵蓋瞭從基礎的能帶理論到復雜的器件設計,為讀者構建一個全麵而深入的理解框架。 第一部分:半導體材料的基礎理論 本部分將詳細介紹半導體材料的核心概念。我們將從原子結構入手,闡述電子在晶體中的運動規律,重點講解能帶理論,包括價帶、導帶、禁帶寬度以及本徵半導體與雜質半導體的區彆。晶體結構對電子特性的影響也將是重點討論的內容,包括不同的晶格結構以及它們如何影響載流子的遷移率。此外,本部分還將深入探討載流子(電子和空穴)的産生、復閤機製,以及其在電場和溫度作用下的行為。摻雜過程的原理和控製,以及不同摻雜劑對半導體導電類型和濃度的影響,也將被詳細解析。 第二部分:關鍵半導體材料的特性與製備 本部分將聚焦幾種重要的半導體材料,深入分析它們的獨特性質和製備工藝。 矽(Silicon, Si): 作為目前最主要的半導體材料,矽的晶體結構、光學和電學性質將得到詳盡的闡述。我們將探討不同質量的矽晶體(如單晶矽、多晶矽)的製備方法,包括直拉法(Czochralski method)和區域熔煉法(Float zone method)。矽的錶麵處理技術,如氧化、鈍化和刻蝕,及其在集成電路製造中的關鍵作用也將被詳細介紹。 化閤物半導體(Compound Semiconductors): 這類材料由兩種或多種元素組成,具有許多矽無法比擬的優異特性,在高性能電子器件和光電子器件領域扮演著重要角色。 鎵化物(Gallium-based compounds): 重點介紹砷化鎵(GaAs)及其與其它元素的固溶體,例如磷化鎵(GaP)、氮化鎵(GaN)等。我們將詳細分析它們的光學帶隙、電子遷移率、擊穿電壓以及其在微波器件、LED、激光器等方麵的突齣優勢。各種製備技術,如液相外延(LPE)、氣相外延(VPE)、金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)和分子束外延(MBE)將得到深入的講解。 硫族化物(Chalcogenides): 探討如硫化鎘(CdS)、硒化鎘(CdSe)等材料,分析其獨特的光電導性和光緻發光特性,以及在太陽能電池、光電探測器等領域的應用。 III-V族與II-VI族化閤物: 進一步拓展對不同族化閤物半導體的研究,例如磷化銦(InP)在光通信領域的應用,以及氮化鎵(GaN)在功率器件和高頻通信中的潛力。 寬禁帶半導體(Wide Bandgap Semiconductors): 重點介紹碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料。分析它們的高擊穿電壓、高導熱性和高電子遷移率等特性,以及其在電動汽車、高壓電力傳輸、高速開關等領域的革命性應用。各種生長技術(如高溫化學氣相沉積、基底製備)及其挑戰將是討論的重點。 第三部分:半導體器件的原理與設計 本部分將從材料特性齣發,講解各種基本半導體器件的結構、工作原理和設計考量。 PN結與二極管(PN Junctions and Diodes): 詳細解析PN結的形成,擴散電流和漂移電流,以及二極管的伏安特性、擊穿機製。不同類型的二極管,如整流二極管、穩壓二極管、肖特基二極管等,將根據其材料和結構特點進行分類介紹。 雙極結型晶體管(Bipolar Junction Transistors, BJTs): 闡述PNP和NPN結構的形成,載流子的注入、傳輸和收集過程,以及其放大和開關特性。電流增益、輸入和輸齣特性麯綫,以及不同偏置條件下的工作模式將被詳細分析。 場效應晶體管(Field-Effect Transistors, FETs): 重點介紹結型場效應晶體管(JFET)和金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的結構和工作原理。分析柵極電壓對溝道電導的控製機製,閾值電壓、跨導等關鍵參數。MOSFET的製造工藝,如氧化層生長、柵金屬沉積、源漏區摻雜等,以及其在數字電路和模擬電路中的廣泛應用將得到深入探討。 光電子器件(Optoelectronic Devices): 介紹發光二極管(LEDs)的發光原理,不同材料體係(如GaAs、GaN)的發光效率和顔色控製。激光二極管(LDs)的激勵發光和受激發射原理,以及其在通信、數據存儲等領域的應用。光電探測器(Photodetectors)的光電轉換原理,如光電導效應、光伏效應,以及不同類型探測器的結構和響應特性。 微波和高頻器件(Microwave and High-Frequency Devices): 針對化閤物半導體材料的優異特性,介紹如MESFET、HEMT(高電子遷移率晶體管)等用於微波和射頻應用的器件。分析其高頻率響應、低噪聲等特點,以及在雷達、衛星通信、手機等領域的應用。 第四部分:半導體材料的先進技術與未來趨勢 本部分將展望半導體材料領域的前沿技術和發展方嚮。 納米半導體(Semiconductor Nanomaterials): 探討量子點、納米綫、二維材料(如石墨烯、二維過渡金屬硫化物)等新型半導體材料的製備方法、獨特的光電性質以及在量子計算、高效太陽能電池、生物傳感器等領域的潛力。 有機半導體(Organic Semiconductors): 介紹有機共軛聚閤物和有機小分子的半導體特性,以及其在柔性電子、有機發光二極管(OLEDs)、有機太陽能電池等領域的應用前景。 集成與封裝技術(Integration and Packaging Technologies): 討論如何將不同功能的半導體器件集成到同一芯片上,以及先進的封裝技術如何提高器件的性能、可靠性和功率密度。 可持續性與環保(Sustainability and Environmental Considerations): 關注半導體材料的製備和迴收過程對環境的影響,以及開發更環保的材料和工藝的重要性。 通過對本書內容的深入學習,讀者將能夠掌握半導體材料的科學基礎,理解各種關鍵材料的特性,熟悉核心半導體器件的工作原理,並對該領域的最新發展和未來趨勢有清晰的認識。本書旨在為從事半導體研究、開發、製造以及相關領域的工程師、科學傢和學生提供一本不可或缺的參考資料。

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