微电子器件

微电子器件 pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

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页数:304
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出版时间:2011-2
价格:45.00元
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isbn号码:9787121128097
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具体描述

《微电子器件(第3版)》首先介绍半导体器件基本方程。在此基础上,全面系统地介绍PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本结构、基本原理、工作特性和SPICE模型。《微电子器件(第3版)》还介绍了主要包括HEMT和HBT的异质结器件。书中提供大量习题,便于读者巩固及加深对所学知识的理解。《微电子器件(第3版)》适合作为高等学校电子科学与技术、集成电路设计与集成系统、微电子学等专业相关课程的教材,也可供其他相关专业的本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。未经许可,不得以任何方式复制或抄袭《微电子器件(第3版)》之部分或全部内容。

好的,以下是一部名为《深度学习在自然语言处理中的前沿应用》的图书简介,该书内容与《微电子器件》无关,且力求详实、专业,避免出现任何不自然的痕迹。 --- 深度学习在自然语言处理中的前沿应用 导言:智能的边界正在被重塑 随着计算能力的飞速发展和海量文本数据的涌现,自然语言处理(NLP)已不再是晦涩的学术研究,而是深刻影响着信息获取、人机交互乃至社会运转的核心技术。本书《深度学习在自然语言处理中的前沿应用》旨在为读者提供一个全面、深入且紧跟时代脉搏的指南,聚焦于当前最前沿的深度学习模型如何革新和驱动NLP领域的各项任务。 我们不再满足于简单的词频统计或基于规则的系统。当前的NLP研究正处于一个由大规模预训练模型(如Transformer架构的变体)主导的时代。本书将系统地梳理这一范式的转变,并详细剖析支撑这些突破性进展的底层技术、关键架构和创新算法。 第一部分:理论基石与模型演进(Foundations and Evolution) 本部分为后续的深入探讨打下坚实的理论基础,重点梳理了从传统方法到现代深度学习模型的关键过渡。 第一章:从统计到表示学习的范式转移 本章首先回顾了隐马尔可夫模型(HMMs)、条件随机场(CRFs)等经典统计方法在NLP中的应用及其局限性。随后,我们聚焦于词嵌入(Word Embeddings)的革命性影响。详细解析了Word2Vec(Skip-gram与CBOW)、GloVe的内在机制,探讨了它们如何将离散的词汇映射到低维、稠密的连续向量空间,从而捕获语义和句法信息。我们还将讨论负采样、窗口大小等超参数对表示质量的关键作用。 第二章:循环网络及其局限性(Recurrent Neural Networks and Limitations) 循环神经网络(RNNs)是早期处理序列数据的核心工具。本章深入剖析了标准RNN的梯度消失/爆炸问题,进而详细阐述了长短期记忆网络(LSTMs)和门控循环单元(GRUs)的设计哲学——如何通过精巧的“门控”机制来控制信息流,实现对长期依赖的有效建模。我们通过实例展示了它们在机器翻译、序列标注任务中的早期成功,同时也批判性地指出了它们在处理极长序列和并行计算上的固有瓶颈。 第三章:注意力机制的诞生与核心原理 注意力机制(Attention Mechanism)是连接RNN时代和Transformer时代的桥梁。本章将注意力机制从一个辅助模块提升到核心地位。我们将详细解释软注意力(Soft Attention)和硬注意力(Hard Attention)的区别,并重点剖析“内容寻址”的数学原理,即如何计算查询(Query)、键(Key)和值(Value)之间的相关性得分,并用得分对信息进行加权求和。这是理解现代模型运作的关键一步。 第二部分:Transformer架构与预训练范式(The Transformer Paradigm) 本部分是全书的重中之重,专注于当前NLP领域无可争议的主导者——Transformer及其衍生模型。 第四章:Transformer的解构:自注意力机制(Self-Attention) 本章对Transformer模型的核心——多头自注意力(Multi-Head Self-Attention)进行彻底的剖析。我们将逐层解析其结构,包括如何通过线性投影生成Q、K、V矩阵,如何计算缩放点积注意力,以及多头设计的目的(即从不同表示子空间捕获信息)。我们还将探讨相对位置编码(Relative Positional Encoding)和绝对位置编码(Absolute Positional Encoding)在恢复序列顺序信息中的作用。 第五章:编码器堆栈:BERT及其变体深度解析 本章聚焦于基于Transformer编码器架构的模型族群。我们将详尽解析BERT(Bidirectional Encoder Representations from Transformers)的训练目标——掩码语言模型(MLM)和下一句预测(NSP)。随后,深入讨论这些预训练任务如何赋予模型强大的上下文理解能力。后续内容将涵盖RoBERTa、ALBERT、ELECTRA等关键优化版本,比较它们在效率、参数量和性能上的权衡与提升。 第六章:解码器与序列生成:GPT系列模型 与BERT专注于理解不同,本章关注以GPT(Generative Pre-trained Transformer)为代表的自回归(Autoregressive)解码器模型。我们将解析其仅使用因果掩码(Causal Masking)的结构,这使得模型能够高效地进行单向信息流动的文本生成。从GPT-1到GPT-3(及其后续迭代),我们将探讨模型规模的指数级增长如何带来涌现能力(Emergent Abilities),并讨论在超大规模模型上进行对齐(Alignment)和控制生成质量的关键技术。 第三部分:前沿应用与细分任务(Frontier Applications) 基于前两部分建立的坚实基础,本部分将深入探讨如何将这些先进模型应用于具体的NLP任务,并讨论当前的研究热点。 第七章:指令微调与大语言模型(Instruction Tuning and LLMs) 指令微调(Instruction Tuning)是释放预训练模型潜能的关键步骤。本章详细介绍指令数据集的构建方式(如FLAN、P3),以及如何通过监督式微调(SFT)使模型学会遵循人类指令。接着,我们转向当前最热门的技术——基于人类反馈的强化学习(RLHF),解释奖励模型的训练、近端策略优化(PPO)在文本生成中的应用,以及如何用此方法实现模型与人类偏好的对齐。 第八章:高效推理与模型压缩技术 随着模型规模的扩大,部署成本成为实际应用中的主要障碍。本章专门讨论如何使前沿模型在资源受限的环境中高效运行。我们将介绍量化(Quantization)技术(如INT8、FP8),知识蒸馏(Knowledge Distillation),以及模型剪枝(Pruning)和结构化稀疏化的方法。此外,还将介绍如FlashAttention等针对Transformer计算效率的底层优化技术。 第九章:多模态融合与跨语言NLP 本章将目光投向NLP的边界扩展。首先探讨多模态学习,重点分析如何将文本嵌入与视觉特征(如图像或视频)进行联合表示(例如CLIP模型),实现图文匹配和视觉问答(VQA)。随后,我们深入跨语言NLP领域,解析无监督和少样本机器翻译(Zero-shot/Few-shot Machine Translation)的最新进展,特别是多语言预训练模型(如mBERT、XLM-R)如何利用共享的底层表示进行语言间的知识迁移。 结论:未来的展望 本书最后将总结深度学习在NLP领域所取得的里程碑式成就,并展望未来的挑战,包括常识推理的缺乏、幻觉(Hallucination)问题的缓解、对更稀疏和节能架构的探索,以及NLP伦理与安全性的重要性。 --- 目标读者: 本书面向具备一定线性代数、概率论和基础编程(Python/PyTorch或TensorFlow)知识的研究人员、工程师和高级学生。它不仅仅是一本技术手册,更是一份引领读者穿越当前深度学习NLP技术浪潮的路线图。读者将能够掌握从底层原理到最新模型部署的完整知识体系。

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《微电子器件》这本书,为我打开了一扇通往微观世界的大门,让我得以窥见支撑现代科技发展的基石。它没有泛泛而谈,而是将每一个器件都进行了细致入微的剖析。我特别欣赏作者在讲解三极管(BJT)时,对电流放大作用的深入解释。它不仅仅是“一个信号放大成另一个更大的信号”,而是通过对电子和空穴在不同区域的注入、扩散和复合过程的详细描述,让我理解了这种“放大”是如何在物理层面实现的。书中对输入电阻、输出电阻和电压增益等关键参数的计算和分析,也让我能够更准确地预测和设计电路。我记得书中关于“基极电流”如何控制“集电极电流”的论述,让我深刻理解了晶体管作为开关和放大器的核心作用。此外,书中还提及了不同类型的 BJT,如 PNP 和 NPN,以及它们在电路中的应用差异。这本书让我不仅获得了宝贵的工程知识,更重要的是,它培养了我一种严谨的科学态度,让我能够以更深刻的视角去理解和分析复杂的科学问题。

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这本书如同一位饱学多才的智者,在微电子器件这个浩瀚而精密的宇宙中,为我开启了一扇扇通往未知领域的大门。初翻开《微电子器件》,我脑海中浮现的并非枯燥的公式和晦涩的理论,而是对这个我们赖以生存的现代世界最基础的构建单元充满了好奇与敬畏。从那些微小却无比强大的晶体管,到它们如何组合成复杂集成电路,再到这些集成电路如何驱动我们手中的智能手机、高性能电脑,甚至是天上翱翔的飞机和深邃太空中的探测器,这本书都以一种引人入胜的方式,抽丝剥茧般地为我揭示了这一切的奥秘。它没有直接告诉我“这个器件做什么”,而是从最根本的物理原理出发,讲解了半导体材料的特性,PN结的形成,以及载流子的运动,让我深刻理解了每一个微电子器件之所以能够工作的底层逻辑。当我阅读到关于MOSFET的章节时,那种对电场效应的精准描述,对我来说简直是一种启迪,让我终于理解了为什么一个如此微小的结构,却能拥有如此强大的开关和放大能力。作者在讲解过程中,总是能巧妙地运用各种类比和直观的图示,将那些抽象的概念变得生动具体,让我仿佛置身于一个微观的实验室,亲眼见证着电子在材料中奔跑跳跃,按照既定的规则构建起令人惊叹的数字世界。这本书不仅是一本教科书,更像是一本引领我探索科学精神的指南,让我对这个我们习以为常的科技时代,有了全新的认识和深刻的感悟。每一次阅读,都感觉自己又向前迈进了一步,对这个复杂而迷人的微电子世界,理解也更加深入。

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这本书的价值,在于它能够将那些看似高深莫测的微电子原理,以一种易于理解的方式呈现出来。我曾一度以为,集成电路的设计和制造是只有少数顶尖专家才能掌握的领域,但通过阅读《微电子器件》,我发现,只要有足够的耐心和对科学的追求,任何人都可以窥探其中的门道。作者在讲解双极结型晶体管(BJT)时,对载流子的注入、扩散和复合过程的描述,非常细致。我尤其对书中关于电流增益和截止频率的分析印象深刻,它让我理解了为什么有些晶体管适合高频应用,而有些则更适合作为功率放大器。书中还详细介绍了不同类型的 BJT,如 NPN 和 PNP,以及它们在电路中的不同连接方式。此外,书中还讨论了结电容、迁移率等影响器件性能的关键因素,这些都让我对晶体管的内部运行有了更深入的了解。这本书不仅仅是一本教科书,它更像是一次智力上的冒险,让我能够在一个全新的领域里,探索未知的知识,发现令人惊叹的科学规律。

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《微电子器件》这本书,如同一位耐心细致的导师,引领我一步步探索半导体世界的奥秘。我一直对那些能够处理和存储海量信息的神奇芯片充满好奇,而这本书则为我揭示了它们的“内在灵魂”。作者在讲解每一个器件时,都不仅仅满足于描述其功能,更深入到其物理层面的工作原理。我记得在学习 MOS 电容的积累、耗尽和反型过程时,作者通过一系列形象的比喻和图示,让我能够清晰地理解电场是如何在半导体材料中建立并改变载流子浓度的。这对于理解 MOS 晶体管的开关过程至关重要。书中对于不同类型的 MOS 晶体管,如 NMOS 和 PMOS,以及它们的 P 沟道和 N 沟道特性,都有详细的阐述,这让我能够区分它们的用途和特点。此外,书中还涉及了晶体管的漏电流、阈值电压等关键参数,以及这些参数是如何受到制造工艺和器件结构的影响的。这种对细节的关注,让我认识到微电子设计是一门精密的科学,每一个参数都需要被精确控制。这本书不仅让我掌握了基本的理论知识,更培养了我一种对科学原理的尊重和探究精神。

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《微电子器件》这本书,与其说是在传授知识,不如说是在引导思维。我一直认为,要真正理解一个事物,不能仅仅停留在表面的功能介绍,而是要深入其内在的运行机制。这本书恰恰满足了我对这种“知其所以然”的渴望。它没有回避那些必要的物理和数学基础,但却将它们以一种极为清晰且富有条理的方式呈现出来,仿佛是在为我搭建一座坚实的理论基石。当我学习CMOS工艺时,那些光刻、刻蚀、离子注入等一系列繁琐却至关重要的步骤,在书中被详细地描述,让我看到了一个微电子器件从原材料到最终成型的完整生命周期。我尤其对书中关于栅氧化层和沟道之间的电场耦合的解释印象深刻,它让我理解了晶体管的开关特性是如何被精确控制的,以及为什么良率和可靠性对于集成电路的制造如此关键。作者在分析不同器件结构时,总会对比它们的优缺点,以及在不同应用场景下的适用性,这让我明白,科学研究和工程实践从来不是单一最优解,而是权衡利弊、不断迭代的过程。这种批判性思维的培养,对于任何一个想要在科技领域有所建树的人来说,都是弥足珍贵的。阅读这本书,我不仅学会了如何分析和理解微电子器件,更学会了如何带着问题去思考,如何从更宏观的视角去审视微观的细节。这是一种学习的乐趣,更是一种智识上的提升,让我受益匪浅。

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《微电子器件》这本书,就像一本详尽的“零件手册”,但它远不止于此。它通过对每一个“零件”——无论是二极管、三极管还是更复杂的MOSFET——的剖析,让我看到了整个科技产业的基石所在。我曾一度认为,电子产品之所以能够运作,仅仅是依靠电流的流动,但这本书让我明白,这背后是无数精巧设计的器件在协同工作。作者对不同器件的物理结构、工作原理以及性能参数的描述,精准且易于理解。例如,关于BJT和MOSFET的载流子注入和传输机制的对比,让我清晰地看到了它们各自的优势和局限性,以及为何在不同的应用场景下会选择不同的器件。书中还深入探讨了器件的寄生效应,以及这些效应如何影响电路的性能,这让我意识到,即使是微小的偏差,也可能对整个系统的运行产生不可忽视的影响。这促使我在思考问题时,更加注重细节和整体的相互作用。我尤其喜欢书中对不同偏置条件下的器件行为分析,这让我能够预测器件在各种工作状态下的表现,并据此进行优化设计。这本书不仅是技术层面的知识传授,更是在培养一种严谨、细致的科学态度,让我能够更全面地理解和应用微电子技术。

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这本书的深度和广度都让我惊叹不已。它不仅仅局限于介绍单个的半导体器件,更进一步探讨了这些器件是如何被集成在一起,构成功能强大的集成电路的。我特别欣赏作者在讲解复杂电路功能时的思路,他会先从最基本的逻辑门单元开始,然后逐步构建出更复杂的组合逻辑和时序逻辑,最终汇聚成处理器、存储器等核心部件。这种层层递进的讲解方式,让我这个初学者也能逐渐领略到集成电路设计的精妙之处。书中对于不同工艺节点的演进,以及由此带来的器件性能提升和功耗降低的分析,也让我对摩尔定律有了更深刻的理解。当我读到关于 FinFET 和 GAAFET 等新型三维晶体管结构时,我感受到了科技发展的日新月异,以及科学家们为了突破物理极限所付出的不懈努力。这些前沿的讨论,让我看到了未来微电子器件的发展方向,也激发了我对这个领域更进一步探索的兴趣。此外,书中还涉及了可靠性、封装技术以及测试方法等实际工程问题,这些内容让我认识到,一个成功的微电子产品,绝不仅仅是理论设计的产物,更离不开精湛的制造工艺和严苛的质量控制。这本书为我描绘了一个完整且立体的微电子世界,让我对这个推动现代社会发展的核心技术有了更全面、更深入的认识。

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《微电子器件》这本书,以一种令人惊叹的清晰度和严谨性,向我展示了构成我们数字世界的基石。它没有回避任何技术细节,但又将它们巧妙地融入到流畅的叙事之中。我记得在学习肖特基二极管时,作者不仅解释了金属-半导体接触形成的原理,还详细分析了其与 PN 结二极管在速度和功耗上的差异。这让我明白了为什么肖特基二极管在某些高速开关应用中具有不可替代的优势。书中还对不同材料的肖特基势垒进行了比较,以及这些材料特性如何影响器件的性能。此外,书中还涉及了漏电流、反向击穿电压等关键参数的讨论,以及这些参数如何受到制造工艺的影响。我对书中关于“金属接触”这一概念的解析尤为印象深刻,它让我意识到,即使是两个看似简单的材料接触,其背后也蕴含着深刻的物理原理。这本书不仅让我获得了知识,更重要的是,它让我学会了一种严谨的科学探究方法,让我能够更深入地理解和分析各种电子器件。

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这本书的出现,彻底改变了我对电子产品内部运作的认知。过去,我看到的只是一个完整的设备,而现在,我能想象到其背后无数微小单元的协同运作。作者以一种循序渐进的方式,从最基础的半导体材料特性讲起,然后逐步过渡到 PN 结、二极管、三极管,直到复杂的集成电路。这种结构安排,使得我能够在一个坚实的理论基础上,逐步理解更复杂的概念。我尤其欣赏书中对于各种器件的特性曲线的解读,这些曲线不仅仅是数据,更是器件“性格”的生动体现,它们揭示了器件在不同输入条件下的输出变化,这是进行电路设计和分析的关键。书中对各种衬底材料、掺杂工艺以及表面处理技术的介绍,也让我看到了材料科学在微电子领域扮演的重要角色。当我学习到关于肖特基二极管和齐纳二极管时,我不仅理解了它们的特殊工作原理,更体会到了工程师们如何通过巧妙的材料选择和结构设计,赋予器件独特的功能。这本书让我明白,每一个微小的进步,都凝聚着无数科学家的智慧和汗水。它不仅仅是一本技术书籍,更是一部关于创新和探索的史诗。

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这本书所包含的知识体系,构建了我对现代电子产业的全新认知。我曾以为,电子产品的核心在于复杂的软件算法,但《微电子器件》让我明白,如果没有那些微小而强大的硬件基础,这一切都将无从谈起。作者在讲解二极管的伏安特性时,对正向导通和反向截止的物理机制进行了详尽的阐述。我尤其欣赏书中关于“掺杂”这一概念的深入剖析,它让我理解了如何通过精确控制半导体材料的掺杂浓度,来改变其导电类型和性能。书中还介绍了不同类型的二极管,如稳压二极管、发光二极管等,以及它们各自独特的工作原理和应用。我对书中关于“齐纳击穿”的解释印象深刻,它让我理解了稳压二极管是如何利用这一物理现象来实现稳定的电压输出的。这本书不仅仅是知识的传授,它更是在培养一种对科学原理的敬畏之心,让我能够以更深的层次去理解和欣赏我们身边无处不在的电子科技。

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大学四年的最可怕的大boss被姐击败了!哈哈哈。。没挂没延毕

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还可以啦

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这本书写的算是国内比较好的了,不是敷衍了事写完的。直流的部分写的不错,但是其中关于高频的部分一些东西写的就不够好的了,前因后果写的不够清楚,一般直接摆个器件的等效电路出来就直接over了,因此高频部分一直都学得模模糊糊的,而且感觉高频部分说的挺深的。总体而言,还是一本不错的书,自学起来不太建议这本书。

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中规中矩,看了几遍后也看懂了

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云山雾绕……

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