射频电路设计

出版者:机械工业出版社

作者:戴维斯

页数:258

出版时间:2005-9

价格:35.00元

装帧:平装

isbn号码:9787111171027

具体描述

本书讲述了滤波器、阻抗变换器、小信号放大器、振荡器、噪声理论和A类／B类，C类大信号放大器，以及混频器和锁相环等。作者采用大量当前在放大器和电路设计中广泛使用的散射参数。书中还提供了大量的SPICE网表和设计实例，对工程实践有一定的参考价值。本书适合作为本科高年级或研究生一年级射频电路设计课程的教材或参考资料，对于射频元件设计和微波电路设计方面的工程技术人员，也是一本有价值的参考书。

　　本书适合作为通信、电子工程及相关专业本科生或研究生的教材或参考书。对于射频元件设计和微波电路设计方面的工程技术人员，也是一本有价值的参考书。

用户评价

我对这本书中关于数字信号处理在通信系统中的应用这一主题的评价是：结构严谨，脉络清晰，是一部极佳的“桥梁之作”。很多信号处理教材往往过于偏重数学推导，使得读者在面对实际的通信调制解调模块时，难以找到理论与工程实践的连接点。然而，这本书的独特之处在于，它始终将信号处理的每一步——从滤波、采样到均衡和解调——置于具体的通信场景（如OFDM、扩频通信）中去讨论。它细致地阐述了，为何在存在频率选择性衰落的信道中，迫采取均衡器（Equalizer）是必需的，并详细对比了迫零（ZF）和最小均方误差（MMSE）均衡器的性能权衡。特别是对于信道编码理论的介绍，它不仅讲解了维特比译码（Viterbi Decoding）的原理，还结合了FPGA的流水线结构，简要说明了如何在硬件层面实现高效的译码过程。这种“工程导向”的讲解方式，极大地提升了学习效率和兴趣，它让我明白，信号处理的精妙之处，并不在于公式有多复杂，而在于能否在有限的资源下，高效地从噪声中提取出有用的信息。

这本关于射频集成电路（RFIC）基础与实践的专著，以其详尽的“模块级”设计流程分析，让我受益匪浅。它没有试图在一本书中涵盖所有RF电路拓扑，而是聚焦于核心模块——低噪声放大器（LNA）、混频器和压控振荡器（VCO）的系统性设计。作者对LNA的噪声系数（NF）和输入匹配的权衡分析尤为精彩，通过具体的Smith圆图操作和参数敏感性分析，直观地展示了设计者需要在哪些关键点上投入精力。更重要的是，书中对寄生效应和非理想因素的讨论非常实在，例如晶体管的Flicker Noise在低频混频器设计中的影响，以及电感器Q值和衬底损耗对振荡器相位噪声的决定性作用。这些都是教科书上轻易略过的“经验之谈”，却恰恰是决定一个RF芯片能否流片成功的关键。读完后，我感觉自己不再是那个只会套用公式的新手，而是一个初步掌握了高频电路“直觉”的设计者，知道在不同技术节点下，哪些挑战是必然会出现的，以及如何提前进行布局和器件选择的策略性布局。

初次翻开这本关于电磁兼容性（EMC）和电磁干扰（EMI）控制的专业书籍时，我本以为会是一次痛苦的理论灌输，毕竟涉及高频电磁场理论和复杂的耦合机制，很容易让人望而却步。然而，这本书的叙述方式却极具“工匠精神”。它没有回避麦克斯韦方程组带来的挑战，但更侧重于将这些理论转化为可操作的PCB布局和系统屏蔽规范。最让我欣赏的是其对“故障排除”这一环节的重视。书中专门用了一章来详述典型的EMC失效案例分析，从电源地环路的优化，到高速信号走线的阻抗匹配，再到机箱和连接器的接地策略，每一步都有明确的“检查清单”和“禁忌操作”。这种自上而下，从宏观到微观的分析路径，使得原本令人头疼的EMC问题，变得逻辑清晰、有章可循。它不仅普及了理论知识，更重要的是，它培养了一种“预防性设计”的思维模式，让设计者在初稿阶段就预先考虑到未来可能遇到的辐射和抗扰度问题，而不是等到样机测试失败后才手忙脚乱地打补丁。对于从事精密仪器或高密度数字电路设计的技术人员而言，这本书提供的实战指导价值，远超其纸面上的篇幅。

这本关于无线通信系统原理的著作，给我留下了极为深刻的印象。它不仅仅是一本枯燥的教科书，更像是一位经验丰富的老工程师，循循善诱地带领我们领略现代移动通信技术的宏大图景。作者在处理复杂概念时，展现了惊人的洞察力与清晰的逻辑。例如，在阐述MIMO技术如何通过空间复用和分集增益显著提升频谱效率时，书中没有停留在简单的公式堆砌上，而是用大量的实例和生动的比喻，将波束赋形、预编码这些看似高深的理论，转化为工程师可以理解和实施的设计思路。特别是对信道估计和跟踪算法的深入剖析，既有扎实的数学基础支撑，又兼顾了实际硬件实现中对计算复杂度和延迟的考量，这种理论与实践的完美结合，是很多同类书籍所欠缺的。阅读过程中，我感觉自己仿佛置身于一个大型的基站设计实验室，亲手调试着各种参数，体会着不同调制编码方案在真实信道环境下的性能差异。书中的图表制作精良，每一张图都恰到好处地辅助了文字的表达，极大地降低了读者的理解门槛。对于希望从基础理论迈向实际系统架构设计的工程师来说，这本书无疑是一本不可多得的“内功心法”。它教会我的，远不止是“如何做”，更是“为何要这么做”的底层逻辑。

这本书对新型半导体材料特性与器件物理的探讨，简直是为材料科学与电子工程交叉领域的学者量身定制的。它并非简单地罗列各种化合物半导体的带隙、载流子迁移率等参数，而是深入挖掘了这些物理特性如何影响最终器件的性能极限。例如，作者对第三代半导体（如GaN和SiC）在高温、高功率应用中的热管理和界面钝化问题进行了深入的探讨，这一点在传统硅基器件物理书中是难以找到的深度。更令人称奇的是，书中还引入了先进的计算模拟方法，比如密度泛函理论（DFT）在缺陷工程中的应用，使得读者可以从原子层面去理解掺杂、陷阱态的形成机理。这种跨越经典半导体物理、直达前沿材料科学的广度与深度，让人耳目一新。它成功地架起了基础物理研究与尖端微电子器件制造之间的鸿沟，对于研究生或者致力于未来技术预研的工程师来说，它提供的思维工具箱是无比宝贵的。阅读过程中，我感觉自己在进行一场高水平的学术研讨会，思想不断被激发，对材料世界的好奇心得到了极大的满足。

不是那么详细，但相关概念都有依据，比较连贯但内容略匮乏。写课程论文时用到了。

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