电路习题详解(上下)

电路习题详解(上下) pdf epub mobi txt 电子书 下载 2026

☆☆☆☆☆
出版者:第1版 (2002年1月1日)
作者:大下真二郎
出品人:
页数:869
译者:陈国呈
出版时间:2002年1月1日
价格:48.00
装帧:平装
isbn号码:9787111101161
丛书系列:
图书标签:
  • 电路分析
  • 电路原理
  • 电路习题
  • 电子技术
  • 电气工程
  • 大学教材
  • 理工科
  • 习题集
  • 详解
  • 基础电路
想要找书就要到 本本书屋
立刻按 ctrl+D收藏本页
你会得到大惊喜!!

具体描述

本书共分上下两册。上册内容为直流电路、正弦波交流电、相量符号法、交流电路、网络分析与基本定理、多相交流电、傅里叶变换与波形分析。下册内容为一端口网络、二端口网络、滤波器、过渡过程、拉普拉斯变换及其应用、分布参数电路的稳态现象和分布参数电路的过渡过程。本书内容丰富,习题量多,并全部有解答过程。

本书内容丰富,习题量多,并全部有解答过程。本书不但对电专业的大专院校的学生和教师是很好的习题指导书,对从事相关领域教学与科研的研究生、教师及工程技术人员也都是很好的工具书和参考书。

《微电子器件原理与设计》 内容简介 本书旨在为电子工程、微电子学、材料科学以及相关专业的学生和工程师提供一个全面而深入的微电子器件原理、制造工艺和先进器件设计方法的学习资源。全书内容组织严谨,理论阐述深入浅出,结合最新的研究进展和实际应用案例,力求搭建起从基础物理概念到复杂集成电路实现的知识桥梁。 第一部分:半导体物理基础与晶体管核心原理 本部分首先回顾了半导体材料的基础物理特性,包括能带理论、载流子输运机制(漂移与扩散)、杂质能级与掺杂效应,以及关键的载流子统计模型(如费米-狄拉克分布)。对PN结的结构、能带图以及理想二极管方程进行了详尽的推导和分析,重点阐述了二极管在正向和反向偏置下的实际工作特性、击穿机制(雪崩与齐纳)及其在电路中的应用。 随后,本书的核心内容转向场效应晶体管(FET)的深入探讨。首先介绍结型场效应晶体管(JFET)的基本结构、工作模式和跨导特性。接着,花费大量篇幅详细讲解金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的机理。这部分内容涵盖了MOS结构(金属-氧化物-半导体)的电容-电压(C-V)特性曲线的完整分析,包括耗尽、弱反型和强反型区的物理图像。重点分析了阈值电压($V_{th}$)的形成机制,特别是氧化物电荷、界面陷阱电荷和栅氧厚度的影响。 在MOSFET的工作特性方面,本书系统地推导了晶体管在饱和区和线性区的I-V特性曲线,精确地讨论了短沟道效应(SCE)——如DIBL(漏致势垒降低)和速度饱和现象——对晶体管性能的影响。针对现代工艺中不可避免的漏电流问题,详细分析了亚阈值漏电流、栅极氧化层隧穿电流以及PN结反向偏置漏电流的物理来源和量化模型。 第二部分:先进MOS器件与工艺技术 本部分将视角从理想模型转向现代CMOS工艺的实际挑战与创新。首先,深入探讨了硅基CMOS技术的发展历程,从平面结构演进到深亚微米甚至纳米尺度的应变硅(Strained Silicon)技术,以及其对载流子迁移率的提升作用。 先进工艺中的一个关键议题是栅极介质的演进。本书详细介绍了高介电常数(High-k)材料替代传统$ ext{SiO}_2$的必要性、不同High-k材料(如$ ext{HfO}_2$)的特性、界面工程的挑战以及其对阈值电压调控的影响。同时,对金属栅极(Metal Gate)的引入及其与High-k堆叠结构的协同作用进行了分析。 对于极小尺寸器件,热载流子效应(HCI)是影响长期可靠性的主要因素。本书详细分析了高电场下热载流子注入栅氧层界面并捕获的机制,以及由此导致的阈值电压漂移和跨导下降等可靠性问题,并介绍了相应的钝化和缓解措施。 第三部分:新型晶体管结构与未来发展方向 随着CMOS技术逼近物理极限,本部分聚焦于下一代晶体管结构。详细介绍了鳍式场效应晶体管(FinFET)的结构原理、工作优势(优异的静电控制能力)及其在三维集成中的挑战。随后,对体全耗尽型SOI(UTBB-SOI)和平面SOI器件的载流子控制机制和短沟道效应抑制能力进行了比较分析。 更前沿的探讨包括: 1. 隧道FET (TFET): 重点分析了基于带间隧穿(BTBT)机制的TFET,其优势在于可能实现低于$60 ext{mV/decade}$的亚阈值摆幅(SS),从而降低器件的静态功耗。本书讨论了TFET的能带工程和材料选择对实现高开关速度和高导通电流的关键作用。 2. 铁电材料在存储与逻辑中的应用: 探讨了铁电材料(如$ ext{HfZrO}_2$)集成到栅极中形成的铁电体场效应晶体管(FeFET),用于非易失性存储器(NVM)和低功耗逻辑电路中的应用潜力。 3. 二维材料器件: 初步探讨了基于二硫化钼($ ext{MoS}_2$)等二维材料构建的MOSFET,分析了这些材料在实现超薄沟道和高迁移率方面的优势与工艺难题。 第四部分:器件建模与仿真基础 为了连接理论与工程实践,本书最后一部分介绍了器件建模的重要性。详细阐述了晶体管模型在不同工作区域的建立方法,从紧凑模型(如BSIM系列)的基本结构到其参数提取过程。强调了精确模型在电路仿真(SPICE)和设计验证中的核心地位。本书还提供了利用有限元方法(FEM)对复杂器件结构进行电场和载流子密度分布进行二维/三维仿真的基本概念和流程指导。 适用对象: 高等院校本科高年级及研究生,专业涉及电子工程、微电子学、集成电路设计与制造。 从事半导体器件研发、工艺集成、电路设计与验证的工程师和科研人员。 本书的特点在于,它不仅提供器件的“是什么”和“为什么”,更深入探讨了“如何设计”和“如何优化”,为读者构建了坚实的器件物理基础和前沿技术视野。

作者简介

目录信息

读后感

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

用户评价

评分☆☆☆☆☆

如果说有什么让我稍感欣慰的,那就是这套书的装订质量,虽然纸张很差,但至少在“物理上”它还算结实。我带着它去了图书馆、咖啡馆,甚至在实验室里被咖啡溅到过,它居然没有散架,这大概是它唯一的优点了。不过,这一点点的物理耐用性,完全无法弥补其内容上的巨大缺陷。我期待的是一本能帮助我梳理知识体系的工具书,结果它更像是一个堆满了零散信息的杂货铺。很多章节之间缺乏逻辑上的连贯性,仿佛是把不同年份、不同老师的讲义强行拼凑到了一起。例如,前一章还在详细讨论时域分析,下一章突然跳到拉普拉斯变换的特定应用,中间没有平稳的过渡,让人在切换思维模式时感到非常费力。整体来看,这本书更像是一个“合集”,而非一部经过精心打磨的“专著”,缺乏统一的教学思想和严谨的逻辑主线。

评分☆☆☆☆☆

这本书的排版简直是一场灾难,我几乎要怀疑设计者是不是对“阅读体验”这个概念有什么误解。纸张的质量粗糙得让人心疼,拿到手里就像是拿着一本廉价的印刷品,油墨味儿久久散不去的,翻开内页,那些复杂的电路图和公式,本来就够让人头疼的了,结果字体大小不一,行距忽松忽紧,有的地方甚至出现了明显的套印不准,看得我眼花缭乱。更别提那些习题的编号和答案的对应关系了,简直是随机生成的一样,我得花费大量时间在目录和正文之间来回切换,才能勉强弄清楚这道题到底对应哪个解析。对于需要反复查阅和对照的理工科学习资料来说,这样的设计简直是致命伤。我本来是想通过这本书来加深理解的,结果光是跟这些糟糕的物理形态较劲,就已经消耗了我大半的学习热情。如果作者和出版社在制作环节能多花一点心思,提升一下基础的装帧和排版水准,这本书的实用价值至少能翻倍。现在的版本,给人的感觉就是草草了事,完全没有对读者应有的尊重。

评分☆☆☆☆☆

我得说,这本书的理论阐述部分,简直是比我大学时的教材还要晦涩难懂。它似乎预设了读者已经对电路学有着非常深厚的背景知识,每一个概念的引入都极其跳跃和突兀。例如,在讲解特定拓扑结构的最优解法时,作者直接抛出了一个复杂的矩阵变换,却没有提供任何中间的推导过程,仿佛这个公式是凭空出现的真理一般。我尝试着去理解作者的思路,但每深入一层,就感觉自己撞上了一堵无形的墙。很多关键的物理意义被完全忽略了,剩下的只有冷冰冰的数学符号堆砌。对于初学者来说,这本书根本不是一本“详解”,更像是一本“高级参考手册”,它不仅没有帮助我扫清学习中的障碍,反而制造了更多新的认知鸿沟。我希望习题详解能起到桥梁的作用,但这本书却更像是一道深不见底的鸿沟,只有少数“天生神童”才能轻松跨越。

评分☆☆☆☆☆

我必须指出,这本书在对一些“疑难点”的讲解上,简直是敷衍到了极致。电路理论中总有一些节点和边界条件是大家公认的难点,需要更细致、更形象的图示或者类比来帮助理解。然而,在这本“详解”中,对于这些关键的知识盲区,作者的处理方式往往是直接引用一个定理或者公式,然后就草草带过,完全没有深入剖析其背后的物理机制或数学推导的直觉来源。这就好比医生直接告诉你“你生病了,吃这个药”,却不告诉你为什么会生病,药理是什么。对于我这样追求知其然也知其所以然的读者来说,这种“黑箱操作”式的讲解是完全不可接受的。我希望看到的是一个耐心且深刻的导师,而不是一个急于翻页的匆忙记录者。这本书给我的感觉是,作者只是把自己做题的过程记录下来,而没有站在“教学”的角度去重新组织和优化这些解题思路。

评分☆☆☆☆☆

这套书的习题选编和难度梯度控制,真是让人摸不着头脑。它似乎在追求数量上的庞大,收录了大量看上去很“花哨”的题目,但真正能考察核心概念、具有典型代表性的基础题却少得可怜。很多题目看起来非常复杂,涉及各种复杂的元件组合,但当你真正去解的时候,却发现其核心思想与十年前的经典例题如出一辙,只不过是换了个数字和元件参数而已,缺乏新意。更令人沮丧的是,对于那些真正有区分度的难题,解析部分给出的步骤也极其简略,仿佛在说“高水平的你自然应该知道下一步怎么走”。这种对学习者水平预估的严重偏差,使得这本书在实际应用中显得非常鸡肋——基础题太简单,难题又解析不足。它没有做到有效分层,导致我不得不将时间浪费在那些重复的、低价值的练习上,而真正需要深入钻研的部分,依然云里雾里。

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

评分☆☆☆☆☆

本站所有内容均为互联网搜索引擎提供的公开搜索信息,本站不存储任何数据与内容,任何内容与数据均与本站无关,如有需要请联系相关搜索引擎包括但不限于百度,google,bing,sogou 等

© 2026 onlinetoolsland.com All Rights Reserved. 本本书屋 版权所有