Fundamentals of Carrier Transport is an accessible introduction to the behaviour of charged carriers in semiconductors and semiconductor devices. It is written specifically for engineers and students without an extensive background in quantum mechanics and solid-state physics. This second edition contains many new and updated sections, including a completely new chapter on transport in ultrasmall devices. The author begins by covering a range of essential physical principles. He then goes on to cover both low- and high-field transport, scattering, transport in devices, and transport in mesoscopic systems. The use of Monte Carlo simulation methods is explained in detail. Many homework exercises are provided and there are a variety of worked examples. The book will be of great interest to graduate students of electrical engineering and applied physics. It will also be invaluable to practising engineers working on semiconductor device research and development.
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这本书的语言风格极其严谨,同时又带着一种古典的学术韵味,读起来让人心生敬畏。我必须承认,初读时对其内容的深度感到一丝压力,因为它探讨的更多是半导体物理学的“第一性原理”,而非应用层面的公式堆砌。它详尽地剖析了半导体中载流子的产生机制,比如光生载流子在不同波长激发下的能级跃迁效率,以及热激发产生的概率分布函数。书中对有效质量概念的引入和阐述尤为精妙,作者没有将有效质量作为一个既定的参数抛出,而是通过对电子在周期势场中运动的微扰理论分析,推导出了其物理意义,并解释了为什么在不同的晶带中,有效质量会表现出张量特性。这种对基础概念的深挖,要求读者必须投入极大的注意力,但回报也是巨大的——一旦理解了这些核心概念,后续任何关于载流子行为的讨论都会变得水到渠成。这本书更像是一本内功心法秘籍,它着重于锤炼读者的物理直觉和分析能力,而不是简单地传授解决特定问题的工具。
评分这本书的学术深度和广度令人叹服,它仿佛是一部跨越了半个世纪半导体物理学思想演变史的缩影。它对费米能级概念的讲解,简直是教科书级别的典范——不仅解释了它在不同温度和掺杂浓度下的漂移,更阐述了其作为热力学势在系统平衡态中的核心地位。书中对半导体中的散射机制,如声子散射和杂质散射的相对贡献,进行了细致的定性和半定量的比较分析,帮助读者建立起对载流子速度限制因素的直观认识。然而,这本书的叙事风格较为内敛,它很少使用过于花哨的语言或大量的实时市场案例来吸引眼球,而是完全依赖于物理原理本身的严密性和美感。这要求读者必须具备一定的数学基础和对物理概念的抽象思维能力。总而言之,这本书为我们理解半导体世界运行的底层逻辑提供了不可或缺的理论支撑,它教授的不是快速获胜的技巧,而是经久不衰的智慧,是真正沉下心来做研究的必备读物。
评分这本书的封面设计着实令人眼前一亮,那种深沉的蓝色调搭配着简洁的白色字体,给人一种既专业又充满探索欲的感觉。我原本以为这会是一本枯燥的技术手册,但翻开扉页后,我发现自己完全被作者的叙述方式吸引住了。书中的内容并没有直接探讨载流子的输运机制,而是将重点放在了半导体物理学的基础概念上,例如晶格振动、能带结构理论的演化过程,以及电子在不同势场下的行为模式。作者花了大量的篇幅来回顾和梳理量子力学在固体物理中的应用,从薛定谔方程的求解到布洛赫定理的深刻阐释,每一个推导过程都力求清晰详尽,仿佛一位耐心的导师在循循善诱。特别是关于周期性势场下电子波函数的构建部分,作者没有直接给出复杂的数学表达式,而是通过大量的类比和直观的图像来辅助理解,这对于初学者来说无疑是一大福音。整本书的行文节奏把握得相当到位,不会让人感到喘不过气,每一章的结尾都会设置一些启发性的思考题,促使读者主动去联系前文知识,这极大地提升了阅读的参与感和深度。我个人非常欣赏这种由浅入深、层层递进的教学理念,它成功地构建了一个坚实的理论基础,为后续更深入的学习铺平了道路。
评分我对这本书的结构布局感到非常惊叹,它似乎更像是一部精妙的艺术品,而非传统的教科书。它并没有直接跳入载流子迁移率或复合过程的复杂计算,而是将大量的篇幅用于探讨材料科学中的宏观现象与微观机制之间的桥梁搭建。例如,书中对不同晶体缺陷——空位、间隙原子、位错——如何影响材料的宏观电学特性进行了极为细腻的描述。作者没有满足于简单的现象罗列,而是深入分析了这些缺陷如何改变局部能带的结构,进而影响载流子的散射机制。特别有趣的是,书中有一章专门讨论了温度对半导体导电性的非线性影响,作者巧妙地结合了统计力学中的玻尔兹曼分布,清晰地展示了本征激发和杂质电离是如何在不同温度区间主导导电过程的。这种跨学科的融合处理,使得原本抽象的物理概念变得生动而富有生命力。阅读过程中,我能清晰地感受到作者对材料物理学整体图景的深刻洞察力,他似乎总能在我开始疑惑“为什么会这样”的时候,恰到好处地引入新的视角或历史背景,让整个知识体系更加丰满和立体。
评分我最近在寻找一本能够系统梳理半导体器件工作机理前置知识的书籍,而这本《Fundamentals of Carrier Transport》恰好提供了这样坚实的地基。尽管书名暗示了对载流子输运的直接讨论,但实际上,它的重点完全聚焦在了“是什么”和“为什么”上,而非“怎么算”。书中对于半导体中电场和磁场相互作用下,载流子运动轨迹的几何描述非常到位,引入了霍尔效应的经典解释,并扩展到了更复杂的范德华尔斯异质结中的界面效应的初步探讨。我特别喜欢作者在处理少数载流子概念时所采用的对比手法,通过明确区分多数载流子和少数载流子的浓度依赖关系,清晰地勾勒出了半导体PN结在平衡态和非平衡态下的基本电荷分布特征。这本书的章节组织逻辑性极强,环环相扣,从晶体结构到能带理论,再到统计分布,每一步的逻辑推进都如同建筑师精心设计的蓝图,确保了知识的内在连贯性。对于想真正理解半导体技术核心原理的工程师来说,这种“溯源而上”的讲解方式,远比直接学习应用公式更有价值。
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评分Recommended by my professor. An "entrance"-level book for researchers in the field of transport. 2018-2-25
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