具体描述
本书全面阐述了以质量为核心的管理原理、技术和方法，突出了质量管理科学与工程的知识架构。同时从管理科学角度出发，论述了质量管理的产生和发展及其曰益完善的理论基础和管理体系；还从工程角度出发，论述了经典和先进质量工程技术和方法。从先进性和实用性出发，本书特别关注了目前以及将来相当长时期国际流行的高级质量管理模式和先进质量工程方法，如APQP，PFMEA，MSA，SPC，PPAP，QFD等。本书的突出立意是使学生或其他读者在树立完整的质量管理与工程知识结构的基础上，掌握流行的质量管理与工程技术和方法，能够学以致用。 本书可作为管理学类与工学类相关学科专业质量管理、质量工程或质量管理与工程课程本科生教材，也可作为相关研究方向的研究生参考教材，还可作为企业高级质量专业人才自学用书和培训教材。
好的，这是一本名为《现代集成电路设计与制造技术》的图书简介，内容力求详实，聚焦于半导体行业的关键技术领域，与您提到的《质量管理与工程》完全不相干。 --- 《现代集成电路设计与制造技术》 一部全面深入的半导体工业技术手册 内容概述 本书旨在系统、深入地剖析当前集成电路（IC）设计、制造、封装和测试领域的前沿技术与工程实践。面对摩尔定律挑战与异构计算需求日益增长的时代背景，本书构建了一个从微观器件物理到宏观系统架构的完整技术框架，为电子工程师、半导体专业学生以及相关领域的研究人员提供一本兼具理论深度与工程实用性的参考指南。全书内容紧密围绕“先进工艺、复杂设计、可靠实现”三大核心支柱展开。 第一部分：超大规模集成电路设计基础与方法学 本部分奠定了现代IC设计流程的理论基石，并着重介绍了面向先进节点的挑战与应对策略。 第一章：半导体器件物理与工艺节点演进 详细探讨了晶体管的物理机制，重点解析了从平面CMOS到FinFET、GAAFET等新型器件结构在缩小尺寸后面临的短沟道效应、量子隧穿效应及静电控制力的变化。内容覆盖了关键工艺参数（如阈值电压、亚阈值斜率）的优化方法，并对下一代SRAM/DRAM存储单元的物理限制进行了深入分析。 第二章：数字前端设计与自动化（EDA）流程 本章系统梳理了从系统级描述到门级网表生成的全过程。详细阐述了硬件描述语言（Verilog/VHDL）的高级用法、逻辑综合的优化目标（功耗、面积、时序）、形式验证（Formal Verification）在确保设计正确性中的关键作用。重点分析了现代综合工具如何处理多电压域（Multi-VDD）和时钟域（Clock Domain Crossing, CDC）的设计约束。 第三章：集成电路布局布线与物理实现 深入讲解了后端的关键技术。内容包括标准单元库（Standard Cell Library）的特性、布线拥塞的分析与缓解策略、时序签核（Timing Sign-off）流程，特别是对静态时序分析（STA）中建立/保持裕量（Setup/Hold Slack）的精确计算方法进行了详尽的实例解析。同时，引入了先进封装技术（如2.5D/3D IC）对后段设计带来的新挑战，例如TSV（硅通孔）的布局规划。 第二部分：模拟、混合信号与系统级设计 随着传感器、通信和AI应用的爆发，模拟和混合信号电路的重要性日益凸显。本部分聚焦于精度与集成度的平衡。 第四章：高性能模拟电路设计技术 本章聚焦于低噪声放大器（LNA）、混频器、锁相环（PLL）等关键模块。详细探讨了噪声分析（包括1/f噪声和散粒噪声的建模）、线性度指标（如P1dB和IP3）的优化，以及跨导-电容（Gm-C）滤波器设计在高速数据转换器中的应用。对CMOS工艺中的失配（Mismatch）现象及其补偿技术进行了深入讨论。 第五章：数据转换器（ADC/DAC）设计 系统介绍了各类模数/数模转换器的架构选择，包括流水线型、Sigma-Delta（ΣΔ）以及逐次逼近型（SAR）ADC。重点分析了量化噪声整形、过采样比（OSR）的选择，以及高分辨率ADC中开关电容网络的设计艺术。 第六章：系统级设计方法与硬件加速 转向系统层面的考量，本章介绍了计算电磁学（CEM）在IC层面的应用，例如对片上电感的耦合噪声分析。深入探讨了系统级验证方法（如SystemC/TLM），以及如何利用FPGA原型验证加速设计迭代。本章尤其关注为AI推理（Inference）定制的专用集成电路（ASIC）架构，包括权重存储优化和脉动阵列（Systolic Array）的设计。 第三部分：半导体制造工艺与先进封装 设计必须与制造能力紧密结合。本部分是理解现代半导体“制造”环节的专业指南。 第七章：光刻技术与图形化 光刻是决定芯片密度的核心工艺。本章详尽介绍了从深紫外（DUV）到极紫外（EUV）光刻的技术原理。重点阐述了掩模版制作、曝光参数优化、光学邻近效应校正（OPC）的复杂算法，以及先进节点中多重曝光（Multiple Patterning）技术的实施难点。 第八章：薄膜沉积、刻蚀与掺杂 涵盖了芯片制造中的关键材料工艺。详细讲解了化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）在介质和金属层沉积中的应用。在刻蚀部分，深入分析了反应离子刻蚀（RIE）的各向异性控制，以及深沟槽刻蚀对侧壁粗糙度（Sidewall Roughness）的影响。对离子注入（Ion Implantation）的剂量控制与退火工艺进行了详尽的物理模型描述。 第九章：先进封装与异构集成 随着摩尔定律的放缓，先进封装成为提升系统性能的关键。本章全面介绍了2.5D（如中介层技术/Interposer）和3D集成技术。探讨了TSV的制造流程、热管理挑战，以及Chiplet（芯粒）架构的设计协同与接口标准（如UCIe）。此外，还包括了对倒装芯片（Flip-Chip）封装中球焊垫（Bumping）工艺的分析。 结语 《现代集成电路设计与制造技术》不仅是理论的集合，更是对当下半导体行业工程实践的深度提炼。它帮助读者理解，在纳米尺度下，每一个设计决策和制造参数调整都蕴含着深刻的物理和工程权衡。本书致力于培养读者在复杂集成电路系统中所必需的跨领域（从器件到系统）的综合分析能力。 --- 适用对象： 集成电路设计工程师（前端、后端、模拟） 半导体制造工艺工程师及技术人员 微电子学、电子工程专业的高年级本科生及研究生 从事芯片系统集成的研发人员和技术管理者
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